大家都知道m(xù)osfet有3個工作區(qū),恒流區(qū)(放大區(qū))此時漏源電流Ids只與Ugs有關(guān),可變電阻區(qū)(Ids與Uds有關(guān))
及截止區(qū),在非隔離開關(guān)電源的設(shè)計中,大家基本只考慮Rdson(此時應(yīng)該Rds很小),可是你怎么能保證讓MOSFET工作在可變電阻區(qū)呢?對于著幾個工作區(qū),請搞手指交
mosfet你可能一直這樣用,可是你知道為什么嗎?請高手指交!
全部回復(fù)(11)
正序查看
倒序查看
@
mosfet在導(dǎo)通的時候有4個工作去,在關(guān)閉的時候有4個工作區(qū)首先是電壓上升到門限電壓,這時候mosfet不到通然后是門限電壓上升到miller電壓,此時mosfet上電壓不變,電流開始增加,第三階段是柵極電壓保持不變,mosfet上電壓開始下降,電流保持不變第四階段是柵極電壓上升到驅(qū)動電壓,mosfet電壓降到0,電流保持不變
我最近在翻譯一片英文資料,詳細介紹了mosfet的特性和應(yīng)用的注意事項,《desing and application guild for high speed mosfet gate drive circuits》
0
回復(fù)
@data
我來傳吧DesignAndApplicationGuideforHighSpeedMOSFETGateDriveCircuits.pdf
謝謝您的熱心幫助.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122690802.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122690802.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
回復(fù)
@brain789
謝謝Phonepim
功率MOSFET的基本特性
2.3.1靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖2所示.
漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性,ID較大時,ID與UGS的關(guān)系近似線性,曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs
MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)于GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)).電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài),即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換.電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122736451.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
當(dāng)Uds>Ugs-Ugs(th),工作在飽和區(qū)(恒流區(qū)),Uds
2.3.1靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖2所示.
漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性,ID較大時,ID與UGS的關(guān)系近似線性,曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs
MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)于GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)).電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài),即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換.電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通.電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1122736451.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
當(dāng)Uds>Ugs-Ugs(th),工作在飽和區(qū)(恒流區(qū)),Uds
0
回復(fù)
