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有誰研究過Ericsson的BMR453的電源模塊啊?

全橋架構,效率很高
副邊用3顆60V MOS并聯(lián),spike壓的很低
有誰知道是怎么辦到的嗎?Active snubber? 3122381241681983.pdf
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shower
LV.8
2
2009-05-14 22:11
這個愛立信新推出的電源,是基礎數(shù)字技術的,具PMBUS總線,過段時間拿到樣品后仔細看看
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LV.1
3
2009-05-15 10:25
我也在關注這個新品,奇怪的細節(jié),沒有全范圍調(diào)整...

我猜測36V-xxV是滿占空比的,匝比不是5:2:2的常見匝比

不知道出于哪種考慮

效率比較高,應該是有snubber,不然怎么也要用到80V管子...
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2009-05-15 15:03
@
我也在關注這個新品,奇怪的細節(jié),沒有全范圍調(diào)整...我猜測36V-xxV是滿占空比的,匝比不是5:2:2的常見匝比不知道出于哪種考慮效率比較高,應該是有snubber,不然怎么也要用到80V管子...
是的,變比3:1:1
所以DS中很多數(shù)據(jù)是38V的
關鍵是snubber為什么能壓的這么低,平面的東西也不好用磁珠的,
我用active snubber也要用到80V的.
75/3*2=50V,只有10V的spike,太小了
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2009-05-15 15:04
@電源民工
是的,變比3:1:1所以DS中很多數(shù)據(jù)是38V的關鍵是snubber為什么能壓的這么低,平面的東西也不好用磁珠的,我用activesnubber也要用到80V的.75/3*2=50V,只有10V的spike,太小了
如果考慮0.9的derating,只有4V的spike了
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LV.1
6
2009-05-15 17:31
@電源民工
是的,變比3:1:1所以DS中很多數(shù)據(jù)是38V的關鍵是snubber為什么能壓的這么低,平面的東西也不好用磁珠的,我用activesnubber也要用到80V的.75/3*2=50V,只有10V的spike,太小了
可能副邊有座有緣前衛(wèi)
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LV.1
7
2009-06-02 13:42
@電源民工
是的,變比3:1:1所以DS中很多數(shù)據(jù)是38V的關鍵是snubber為什么能壓的這么低,平面的東西也不好用磁珠的,我用activesnubber也要用到80V的.75/3*2=50V,只有10V的spike,太小了
有樣品?呵呵
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2009-06-04 15:24
@
有樣品?呵呵
我覺得是同步整流做到了沒有reverse recovery
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2009-06-05 15:31
@電源民工
我覺得是同步整流做到了沒有reverserecovery
那36V輸入的時候,能達到12V輸出么?
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LV.1
10
2009-06-05 20:42
@sometimes
那36V輸入的時候,能達到12V輸出么?
不能,看它的datasheet掉了一點,所以我估計3:1占空比是有可能的
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2009-06-05 23:34
@
不能,看它的datasheet掉了一點,所以我估計3:1占空比是有可能的
是變比3:1
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michael_xu
LV.2
12
2009-06-12 16:10
能分別測下副邊Vds在滿載和空載情況下在全帶寬情況下的波形嗎?
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flyingfox
LV.4
13
2009-11-04 18:56
@michael_xu
能分別測下副邊Vds在滿載和空載情況下在全帶寬情況下的波形嗎?
請問有沒有人有成果,我們可以交流一下
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2009-11-08 22:52
@flyingfox
請問有沒有人有成果,我們可以交流一下
你指什么成果
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