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反擊拓?fù)浞庋b為TO-220AB的開(kāi)關(guān)管中間腳套磁珠,會(huì)不會(huì)炸機(jī)?

如題
現(xiàn)在測(cè)試一批電源有幾臺(tái)上電就炸MOS,修好后沒(méi)發(fā)現(xiàn)任何異常,現(xiàn)懷疑開(kāi)關(guān)管中間腳套磁珠引起,請(qǐng)高手指點(diǎn)!
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madboy21
LV.8
2
2009-05-15 23:42
你好!
絕對(duì)就是這個(gè)問(wèn)題,不信你全去掉看看.
如有反對(duì)請(qǐng)把錢包手機(jī)扔過(guò)來(lái),但扔石頭磚塊我反對(duì)~~~~

呵呵!!!
0
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zlx305
LV.4
3
2009-05-16 11:27
有可能是這個(gè)問(wèn)題,在開(kāi)關(guān)管中間串磁珠相當(dāng)增加變壓器漏感,建議把磁珠改為S極
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monikel
LV.5
4
2009-05-16 12:36
磁珠有可能碰到其它兩極,磁珠的阻抗很小,建議維修前先拍照確認(rèn).
0
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yuyan
LV.9
5
2009-05-16 13:34
@monikel
磁珠有可能碰到其它兩極,磁珠的阻抗很小,建議維修前先拍照確認(rèn).
非常感謝,去掉磁珠后,到現(xiàn)在測(cè)試還沒(méi)炸機(jī)!
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monikel
LV.5
6
2009-05-16 13:58
@yuyan
非常感謝,去掉磁珠后,到現(xiàn)在測(cè)試還沒(méi)炸機(jī)!
不客氣,互相學(xué)習(xí),我也曾遇到磁珠造成兩極短跑現(xiàn)象,如果你只是單獨(dú)去除的話會(huì)對(duì)EMI有影響,如果可能最好是把中間的D極T出來(lái),做成品字型可給磁珠留有較大的空間,或者折彎腳位,TO-220零件采用TO-247有絲印.
0
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yuyan
LV.9
7
2009-05-16 15:39
@monikel
不客氣,互相學(xué)習(xí),我也曾遇到磁珠造成兩極短跑現(xiàn)象,如果你只是單獨(dú)去除的話會(huì)對(duì)EMI有影響,如果可能最好是把中間的D極T出來(lái),做成品字型可給磁珠留有較大的空間,或者折彎腳位,TO-220零件采用TO-247有絲印.

也很奇怪,開(kāi)始做幾萬(wàn)臺(tái)沒(méi)有問(wèn)題,為什么現(xiàn)在就出現(xiàn)了?
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2009-05-16 15:40
@yuyan
非常感謝,去掉磁珠后,到現(xiàn)在測(cè)試還沒(méi)炸機(jī)!
你的問(wèn)題是3樓說(shuō)的,而不是碰到造成的絕緣不夠,好好想想3樓的說(shuō)法理解理解.
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monikel
LV.5
9
2009-05-16 16:41
@yuyan
謝也很奇怪,開(kāi)始做幾萬(wàn)臺(tái)沒(méi)有問(wèn)題,為什么現(xiàn)在就出現(xiàn)了?
你可以確認(rèn)一下你的制造工藝情況,比如說(shuō)制具的變更,固定膠的更換,值得懷疑最大是固定膠的原因.
0
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monikel
LV.5
10
2009-05-16 16:42
@ytdfwangwei
你的問(wèn)題是3樓說(shuō)的,而不是碰到造成的絕緣不夠,好好想想3樓的說(shuō)法理解理解.
我不同意漏感說(shuō)法,這個(gè)小磁珠是可飽和的,主要抑制關(guān)斷時(shí)的瞬間尖鋒,且串入MOS后等效出來(lái)的漏感與變壓器制造出來(lái)漏感差值對(duì)比小得可憐,如果增加這么一點(diǎn)點(diǎn)的小漏感就使它的Vds上升到擊穿,那么這個(gè)問(wèn)題會(huì)因?yàn)樽儔浩髦圃斓牟町愒缫扬@現(xiàn)出來(lái).
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madboy21
LV.8
11
2009-05-16 22:58
@monikel
我不同意漏感說(shuō)法,這個(gè)小磁珠是可飽和的,主要抑制關(guān)斷時(shí)的瞬間尖鋒,且串入MOS后等效出來(lái)的漏感與變壓器制造出來(lái)漏感差值對(duì)比小得可憐,如果增加這么一點(diǎn)點(diǎn)的小漏感就使它的Vds上升到擊穿,那么這個(gè)問(wèn)題會(huì)因?yàn)樽儔浩髦圃斓牟町愒缫扬@現(xiàn)出來(lái).
磁珠的作用是解決輻射干擾問(wèn)題,造成這樣的問(wèn)題應(yīng)是MOS管過(guò)流造成的,而過(guò)流又是由于上電變壓器飽和引起的~~~~
不同的控制IC解決方法是不一樣的.

如可以拿一塊過(guò)來(lái)我看看,能不能找出問(wèn)題.
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晶熔鐵
LV.7
12
2009-05-16 23:28
@monikel
我不同意漏感說(shuō)法,這個(gè)小磁珠是可飽和的,主要抑制關(guān)斷時(shí)的瞬間尖鋒,且串入MOS后等效出來(lái)的漏感與變壓器制造出來(lái)漏感差值對(duì)比小得可憐,如果增加這么一點(diǎn)點(diǎn)的小漏感就使它的Vds上升到擊穿,那么這個(gè)問(wèn)題會(huì)因?yàn)樽儔浩髦圃斓牟町愒缫扬@現(xiàn)出來(lái).
同意樓上的看法.
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monikel
LV.5
13
2009-05-16 23:58
@madboy21
磁珠的作用是解決輻射干擾問(wèn)題,造成這樣的問(wèn)題應(yīng)是MOS管過(guò)流造成的,而過(guò)流又是由于上電變壓器飽和引起的~~~~不同的控制IC解決方法是不一樣的.如可以拿一塊過(guò)來(lái)我看看,能不能找出問(wèn)題.
你說(shuō)得亂得一塌糊涂,啥跟啥啊? MOS過(guò)流如何與加磁珠有關(guān)系啊?
過(guò)熱還可以說(shuō)說(shuō).變壓器飽和也說(shuō)出來(lái)了,不懂啊,愿聽(tīng)進(jìn)一步講解.
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monikel
LV.5
14
2009-05-17 00:02
@晶熔鐵
同意樓上的看法.
謝謝,也許我分析也不全面,八方會(huì)談,多見(jiàn),多聞,多分析,吸其精華.
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madboy21
LV.8
15
2009-05-17 00:30
@monikel
你說(shuō)得亂得一塌糊涂,啥跟啥啊?MOS過(guò)流如何與加磁珠有關(guān)系啊?過(guò)熱還可以說(shuō)說(shuō).變壓器飽和也說(shuō)出來(lái)了,不懂啊,愿聽(tīng)進(jìn)一步講解.
哎呀!確實(shí)上下有點(diǎn)不對(duì)稱不過(guò)還請(qǐng)你認(rèn)真看看第11貼.
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monikel
LV.5
16
2009-05-31 12:01
老兄,問(wèn)題解決沒(méi)有啊,回個(gè)話哦,也給大家都學(xué)習(xí)點(diǎn)經(jīng)驗(yàn).
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chenya
LV.2
17
2009-06-03 12:49
你把圖傳上來(lái)看看啊
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