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求助:升壓器(30V-48V)中MOSFET關(guān)斷時(shí),為何出現(xiàn)高電壓(~200V)

最基本的boost converter,具體看附件.其中Mosfet關(guān)斷時(shí),其兩端電壓Vds出現(xiàn)高電壓,約200V.

請(qǐng)教大俠們,是什么原因?qū)е碌?

多謝!!
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LV.1
2
2009-05-19 20:31
看看你的圖紙!
0
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rouce
LV.2
3
2009-05-19 22:02
@
看看你的圖紙!
請(qǐng)看文件.包括電路圖和測(cè)試結(jié)果.
謝謝
3324331242741656.doc
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LV.1
4
2009-05-20 23:47
@rouce
請(qǐng)看文件.包括電路圖和測(cè)試結(jié)果.謝謝3324331242741656.doc
你這個(gè)電路是BOOST電路,尖峰電壓是是電感漏感引起的,你可以加RCD,或RC吸收電路來(lái)消除,
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haibin
LV.5
5
2009-06-19 17:34
@rouce
請(qǐng)看文件.包括電路圖和測(cè)試結(jié)果.謝謝3324331242741656.doc
出現(xiàn)這么大的劍峰,一個(gè)是你的整流二極管開(kāi)關(guān)速度慢所致(從你的圖上看二極管的導(dǎo)通時(shí)間都到100NS了);再就是在大電流下,可能是電感到MOS與二極管之間的連接線太長(zhǎng)引起的大寄生電感所致;
對(duì)策:選用多顆MOS并聯(lián),連接點(diǎn)的線要比較粗,比較短,選用開(kāi)通速度快的二極管,在輸出端電壓不高的情況下可以選用兩個(gè)到三個(gè)二極管并聯(lián);
或則用緩沖吸收電路,降低開(kāi)關(guān)時(shí)的dv/dt
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