FSEZ1016炸機
大家好,我用這個芯片做3W燈,在測試時一通電就炸機,不知道各位有用這個芯片有沒有這樣的問題,1300PCS,這樣的現(xiàn)象有80PCS,急
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謝謝你的回復,就是VDS穿了,可是我用示波器去測試電壓的時候只有500V,現(xiàn)在有1w多的訂單都怕了,試產(chǎn)200PCS只壞了一個,也是這種現(xiàn)象?
我覺得以下幾點可以參考
1,PCB布局上:ComI, COMV, Vs, Isense的參考地都應(yīng)該是IC的地,然后再接到大電容的地較好.
2,用FSEZ1016做12V、350mA的LED電源,我認為空載電壓和滿載電壓不會超過1.2V(也就是我們說的+/-5%的范圍),做4V,700MA的,也應(yīng)該滿足+/-5%的范圍.如果不對,請重新檢查參數(shù).
3,變壓器參數(shù)設(shè)計和機構(gòu):因為FSEZ1016A是600V的Mosfet. 反射電壓不要太高,控制在60~70V就好了,這顆IC只能工作在DCM模式, 所以電感量要適當小一點.結(jié)構(gòu)上要盡可能的減小漏感,否則由漏感形成的Vds尖峰會較高.
1,PCB布局上:ComI, COMV, Vs, Isense的參考地都應(yīng)該是IC的地,然后再接到大電容的地較好.
2,用FSEZ1016做12V、350mA的LED電源,我認為空載電壓和滿載電壓不會超過1.2V(也就是我們說的+/-5%的范圍),做4V,700MA的,也應(yīng)該滿足+/-5%的范圍.如果不對,請重新檢查參數(shù).
3,變壓器參數(shù)設(shè)計和機構(gòu):因為FSEZ1016A是600V的Mosfet. 反射電壓不要太高,控制在60~70V就好了,這顆IC只能工作在DCM模式, 所以電感量要適當小一點.結(jié)構(gòu)上要盡可能的減小漏感,否則由漏感形成的Vds尖峰會較高.
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