謝謝 老師分享.請老師指導(dǎo),四硅機(jī)不用電感,電容選多少

四硅與單硅比較是單硅多個(gè)平頂嗎?

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/2893391244294466.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

單硅也是倍壓啊

只有直流橋四硅機(jī)才是倍壓的.
其他用硅的后級都不是倍壓的.

因?yàn)橹绷鳂蛩墓铏C(jī)充放電電容上的能量是一比一相加的《見4帖圖》.

呵呵,好像單硅那個(gè)尖峰是的哦.那個(gè)平臺(tái)就是直接輸出的電壓.尖峰是可控硅關(guān)斷后,電源經(jīng)電感和電容的串接輸出的.

你的555電路怎么接的,,我的上下波形不對等的

他的 上下波形也是不對等的

上下不對等沒關(guān)系的,因?yàn)橹挥懈唠娖绞怯杏玫?一對硅靠高電平關(guān)斷,另一對硅是靠逆程關(guān)斷,

關(guān)斷電容一般500W的機(jī)機(jī)用5UF的就差不多了,電容小了魚沉得快

這里二對硅都是高壓強(qiáng)迫關(guān)斷的

那你的分析就不對了,看看可控硅關(guān)斷的幾種條件吧,這是靠小于導(dǎo)通電流來關(guān)斷的

那你把可控硅關(guān)斷的幾種條件都列出來
對照一下四硅電路
看看可控硅是如何關(guān)斷的

橋四硅的波形怎么兩個(gè)基本一樣高啊
一個(gè)   電容充電
一個(gè)   倍壓輸出才對

呵呵,對的.每一對硅導(dǎo)通時(shí)都是先放電再充電的.

對于四硅是怎么樣關(guān)斷的,不做過多解釋了,我還是自以為是.我看到四硅波形的就是這樣,也許是我不會(huì)試波器吧

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我測到的是這樣

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這應(yīng)該是你的兩組硅導(dǎo)通的間隔時(shí)間不同引起的!

老師的波型怪怪的.

這才是橋四硅波
至于兩個(gè)波的間隙
可以通過調(diào)整555輸出占空比
實(shí)現(xiàn)

不對等,,肯定是不行的,四硅輸出有重疊的

請問一下,你們輸出串電感嗎

不串!串后波形變化了,不陡峭了!

不怪
驅(qū)動(dòng)的占空比很小
負(fù)載輕
電容放電后再充電的
時(shí)間不夠
沒有充完
另一對硅導(dǎo)通
輸出電壓就小了
如果負(fù)載重的話
脈沖峰值是一樣高的
只是脈沖間隔不一樣
就像樓主的圖

呵呵  電容充不滿 硅是不會(huì)關(guān)掉的
只會(huì)直通了
橋四硅和串雙硅 單獨(dú)觸發(fā)電路
是橫功率輸出
負(fù)載小了  就容易直通
電容量不能過大
為什么要設(shè)計(jì)觸發(fā)占空比50%呢
因?yàn)闃蛩墓璩浞烹姳葹?:2
為了給硅的關(guān)斷 放開余量
電容充電時(shí)間可以取30%
但由于硅的觸發(fā)電路 根本沒有加入
同步檢測電路
也許本該是555輸出正脈沖時(shí)
電容充電的 但假設(shè)此時(shí)根本沒有接負(fù)載
電容何以充電呢
但又恰恰 在555輸出負(fù)脈沖時(shí)
電容反而充電了
所以 不能根本的解決
到底是哪一組硅
給電容充電和放電
既而 占空比設(shè)定在50%
更為合理

這是在相對標(biāo)準(zhǔn)的情況下的設(shè)計(jì)
假設(shè) 橋四硅用的電容量
不是很大

那可以把觸發(fā)設(shè)計(jì)成可以調(diào)占空比的電路
也就是調(diào)尖峰1和尖峰2之間的間隙
或許對于浮魚效果來說
會(huì)有意想不到的效果...

錯(cuò)了
電容充不滿
硅也可以關(guān)斷

小負(fù)載時(shí)我試過
頻率很高很高
沒試過
也用不著試

你再分析分析
硅是被強(qiáng)迫關(guān)斷的

我說的是橋四硅

失誤!
對  強(qiáng)迫關(guān)斷(負(fù)壓關(guān)斷)
受益非淺...
謝謝樓上

呵呵,電容沒有充滿,硅如何能關(guān)斷的?
學(xué)習(xí)了!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/1380241244649432.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/78/1380241244649441.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
看圖2
當(dāng)VS1 VS4為電容充電
假設(shè)電容并為充滿
VS2 VS3就導(dǎo)通了
一步一步分析
當(dāng)VS2導(dǎo)通時(shí) 由于電容上電壓為上正下負(fù)
電壓作用在VS4上是 左負(fù)右正  因此VS4負(fù)壓關(guān)斷
VS3導(dǎo)通時(shí)  和VS2一樣
VS1也反壓關(guān)斷了
從分析來看
橋四硅是應(yīng)該不會(huì)直通
但實(shí)際操作中  好像某些人提到過橋四硅直通現(xiàn)象

假設(shè)橋四硅 真不直通
加大電容 (讓充電時(shí)間大于觸發(fā)時(shí)間) 那么橋四硅也就不會(huì)是橫功率輸出了
負(fù)載越大  輸出功率也越大   調(diào)觸發(fā)占空比也就是在調(diào)功率了
注:這是在電容充電時(shí)間大于硅觸發(fā)時(shí)間的情況下


如果真是這樣的話  顯然加大電容  通過調(diào)觸發(fā)占空比調(diào)功率就是能實(shí)現(xiàn)的

希望有橋四硅機(jī) 前級加了保護(hù)的朋友
把你的這個(gè)電容加到你正常使用的3~5倍
試驗(yàn)下  看硅會(huì)不會(huì)直通
或是接小負(fù)載試下

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雙通時(shí)vcc為最高電位.已充入電容C的電能從低電位方問泄放,電容C兩頭無電位差.vcc直接到達(dá)輸出端.