
我有一個(gè)問題很疑惑:mosfet并聯(lián)
mosfet并聯(lián)是為了增大電流,可是仿真兩管漏電流之和好像只與VCC,以及負(fù)載有關(guān),怎么樣才能看到并聯(lián)擴(kuò)容的效果呢?希望這樣的問題不要讓大家見笑,不懂就問,希望各位指點(diǎn)迷津!!另外我的圖是否有錯(cuò)?


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@乞力馬扎羅的雪
???我怎么看不懂你的問題?MOS并聯(lián)擴(kuò)流是說并聯(lián)后,電路的電流可以更大,而不會(huì)導(dǎo)致MOS過熱或損壞.如果電路的其他參數(shù)不變,僅增加并聯(lián)的MOS,當(dāng)然不會(huì)讓總電流增加.只是每個(gè)MOS的發(fā)熱會(huì)降低.并聯(lián)的本質(zhì)是用多個(gè)小功率MOS代替一個(gè)大功率MOS.
謝謝,實(shí)在不好意思,初涉這個(gè)領(lǐng)域,很多都不懂,實(shí)質(zhì)還是沒有搞得很清楚,“兩管并聯(lián)后電流應(yīng)達(dá)到單管的150%”這句話應(yīng)該怎么理解?麻煩說一下,謝謝!!!!!
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