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關(guān)于測(cè)試MOSFET的問題

本人在看很多MOSFET的datasheet時(shí),看到這樣的測(cè)試圖,以IRFP
150為例:

測(cè)試條件為:Id=22A;Vds=80V;Vgs=10V
很大的疑問在于作為CURRENT REGULATOR的MOSFET處于線性狀態(tài),耗散的功率要靠哪種具有高熱傳導(dǎo)率的散熱器散出?比如IRFP150的導(dǎo)通內(nèi)阻為0.04R,那作為線性current regulator的MOSFET的功率就應(yīng)有(80V-22A×0.04R)×22A=1740W.即使MOSFET工作在占空比為0.5的情況下,MOSFET耗散的功率也在800W左右,顯然能高效散出這樣功率的散熱器很難選擇.如果是這樣,MOSFET廠家提供的DATASHEET是否有誤呢?要么就是我的計(jì)算方法有問題.
還請(qǐng)各位功率大俠發(fā)表自己的觀點(diǎn).
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