想做一個全電壓輸入的12V 4A帶1.8m 18AWG輸出的adaper,用傳統(tǒng)的輸出肖特基二極管整流,但是平均效率離標準(近87%)始終差2~3%.有朋友建議用電路圖中的同步整流電路來作,做過以下動作驅(qū)動繞著同輸出繞著4TS,
1. 用75A/100V IR的MOSFET,但是很容易損壞
2. 用33A/150V IR的MOSFET,待機功耗大約3W,平均效率82.5%左右
3. 用33A/150V IR的MOSFET,減少驅(qū)動繞組2ts,待機功耗大約1W,平均效率83.7%左右
4. 用33A/150V IR的MOSFET,減少驅(qū)動繞組1ts,待機功耗大約0.3W,平均效率83.2%左右
5. 在上方案3的基礎(chǔ)上,并接一個肖特基二極管,效率更低.
請問各路高手和專家,有何高招可以改善和提高平均效率? 30341248952318.pdf
ONSEMI NCP1271 的同步整流電路方案達到 LEVEL V
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@heibaihao
用擎力的同步整流ICSP6019工作在CCM,平均效率絕對能滿足LEVv,已經(jīng)有很多大客戶在用我們的方案,最重要的是CCM的方案在成本上絕對是最有優(yōu)勢的.
IC (SP6019) + MOS (SPN8080)
I out output (W) input (W) effi % Average
4A 46.73 54.55 85.66%
3A 35.35 40.89 86.45%
2A 23.75 27.41 86.65%
1A 11.98 14.16 84.60% 85.84%
0A 0.36-0.44
4A 46.68 53.81 86.75%
3A 35.33 40.85 86.49%
2A 23.75 27.74 85.62%
1A 11.98 14.64 81.83% 85.17%
0A 0.32
參考這些測試數(shù)據(jù): 用該方案平均效率僅僅達到85.84% 和85.17% 待機功率超過0.3W. 并且是通過(原廠)非常優(yōu)化的數(shù)據(jù).還有妙計?
I out output (W) input (W) effi % Average
4A 46.73 54.55 85.66%
3A 35.35 40.89 86.45%
2A 23.75 27.41 86.65%
1A 11.98 14.16 84.60% 85.84%
0A 0.36-0.44
4A 46.68 53.81 86.75%
3A 35.33 40.85 86.49%
2A 23.75 27.74 85.62%
1A 11.98 14.64 81.83% 85.17%
0A 0.32
參考這些測試數(shù)據(jù): 用該方案平均效率僅僅達到85.84% 和85.17% 待機功率超過0.3W. 并且是通過(原廠)非常優(yōu)化的數(shù)據(jù).還有妙計?
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@lussh
IC(SP6019)+MOS(SPN8080)Ioutoutput(W)input(W)effi%Average4A46.7354.5585.66%3A35.3540.8986.45%2A23.7527.4186.65%1A11.9814.1684.60%85.84%0A0.36-0.444A46.6853.8186.75%3A35.3340.8586.49%2A23.7527.7485.62%1A11.9814.6481.83%85.17%0A0.32參考這些測試數(shù)據(jù):用該方案平均效率僅僅達到85.84%和85.17%待機功率超過0.3W.并且是通過(原廠)非常優(yōu)化的數(shù)據(jù).還有妙計?
您測試的結(jié)果是什么時候測的,能否給出您的具體參數(shù):
PWM ic ?
變壓器規(guī)格?
原邊MOS?
我很奇怪您的電源在1A的情況下怎么效率那么低?應(yīng)該是SR沒打開,這跟你的IC周邊的參數(shù)有關(guān),我們的客戶輕松能過LEV V,除非你還有特別的要求.
希望能跟您直接交流.
PWM ic ?
變壓器規(guī)格?
原邊MOS?
我很奇怪您的電源在1A的情況下怎么效率那么低?應(yīng)該是SR沒打開,這跟你的IC周邊的參數(shù)有關(guān),我們的客戶輕松能過LEV V,除非你還有特別的要求.
希望能跟您直接交流.
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