2004年4月15日 --高效電源轉(zhuǎn)換控制器及最佳整流器和MOSFET的領(lǐng)先供應(yīng)商之一的安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN),宣布推出新的高壓MOSFET產(chǎn)品線.推出這些新的600伏(V)MOSFET,擴展了公司的簡化電源設(shè)計方案,用于包括開關(guān)模式電源、PWM馬達控制、轉(zhuǎn)換器和橋電路應(yīng)用中.增加高壓MOSFET后,現(xiàn)在安森美半導體可單獨提供所有的電源設(shè)計重要有源元件.

高壓MOSFET
新的NTD4N60、NTP6N60 和 NTP10N60器件特點為高至10安倍(A)的電流額定和10V時RDS(on)低至0.75歐姆.這些器件采用了安森美半導體的優(yōu)秀平面TMOS7HV技術(shù),可在要求最苛刻的應(yīng)用中工作.門控充電極低,從而降低了驅(qū)動器損耗,取得比傳統(tǒng)技術(shù)更高的效率.這些器件的雪崩能量額定使其在電源應(yīng)用中可靠運行.

安森美半導體集成產(chǎn)品器件部副總裁兼總經(jīng)理Ramesh Ramchandani說:“推出此產(chǎn)品只是安森美半導體涉足高壓MOSFET市場的第一步,到今年末,我們將推出500-800 V HVMOS器件,具引以為傲的最佳RDS(on) 和開關(guān)性能.”

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12N06

SSP12N60

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APT5020BVFR

IRFP20N60k.

用應(yīng)非林的20N60COOIMOS

20N60       20A 600V 0.19歐                        1000PCS    2.50
1126773824.txt

美國IXYS功率器件.以上幾款管子請參考:IXFH9N60P 600V,9A.  導通電阻:0.6歐姆.IXFH14N60P  600V,14A.  導通電阻:0.55歐姆IXFH18N60P  600V,18A .導通電阻:0.4歐姆