Microsemi cooperation ,作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和電子器件的先行者,全球最大POE輸電端解決方案供應(yīng)商之一,全球性的電源管理、電源調(diào)理、瞬態(tài)抑制和射頻/微波半導(dǎo)體器件供應(yīng)商,是全球最大POE供應(yīng)商之一, 擁有優(yōu)秀的PWM 控制IGBT．POE輸電端解決方案、CCFL、LED Backlight driver顯示器驅(qū)動(dòng)器等.占據(jù)著POE模塊電源的大部分市場(chǎng)份額．據(jù)Microsemi亞洲區(qū)域經(jīng)理Steven  Hemmah介紹,"Microsemi產(chǎn)品主要有IGBT,PWM控制器、LED顯示器驅(qū)動(dòng)等,主要應(yīng)用兩大領(lǐng)域:工業(yè)和消費(fèi)電子,包括通訊、高速公路、汽車(chē)、大功率電源、UPS等,為電子產(chǎn)品提供半導(dǎo)體解決設(shè)計(jì)方案．"
該公司生產(chǎn)的高可靠模擬IC和分立半導(dǎo)體器件,被應(yīng)用于衛(wèi)星、遠(yuǎn)程通訊、計(jì)算機(jī)/外圍、軍事/航空、工業(yè)/商業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域.

Microsemi公司在美國(guó)擁有多個(gè)制造廠(chǎng),另外在加州、德州、愛(ài)爾蘭、墨西哥、香港、印度等國(guó)家和地區(qū)提供生產(chǎn)支持.公司的銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)遍布全球.
一、封裝形式.
1. 陶瓷雙列直插封裝Ceramic Dual-In-Line (DIP),
“Y”型: 8 引腳
“J”型: 14, 16 and 18引腳
陶瓷扁平封裝( Cerpac ) , “ F ”型: 10 , 14 , 16 , 20和24引腳
            
2. 無(wú)鉛陶瓷芯片載體
   (壽命周期) , “ L ” : 20針

3. 金屬罐裝(Metal Cans)
低電流 (500ma)
TO-39, “T”型: 3 pin
TO-99, “T”型: 8 pin
TO-100, “T”型: 10 pin
中級(jí)電流(1A)
TO-66, “R”型: 3 and 5 pin
高電流 (>1.5A)
TO-3, “K”型: 3 pin
(500ma)

4. Metal Case with mounting tab,  
TO-257: 3 pin
隔熱材質(zhì), “IG” 型
非隔熱材質(zhì), “G”型
  

一、整流橋產(chǎn)品分為以下三類(lèi):

1單相整流橋:可提供電流額定值0.5~50A,電壓額定值200~1000V的各種不同封裝的產(chǎn)品.
2三相整流橋:可提供電流額定值30~35A,電壓額定值600~1600V的各種不同封裝的產(chǎn)品.
3整流橋模塊:可提供電流額定值30~200A,電壓額定值800~1600V的單相、三相整流橋模塊.

二、功率模塊分為以下三類(lèi)
1MOSFET模塊:各種不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的MOSFET/FREDFET/COOLMOS模塊,包括半橋、全橋、單開(kāi)關(guān)、三相橋、不對(duì)稱(chēng)橋、升壓斬波、降壓斬波、雙升壓斬波、雙降壓斬波、雙共源極,三—雙共源極,三—半橋等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).最大額定電壓/電流可達(dá)到1200V/126A(80度電流).
2IGBT模塊:各種不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的GF/GN系列IGBT模塊,包括半橋、全橋、單開(kāi)關(guān)、三相橋、不對(duì)稱(chēng)橋、升壓斬波、降壓斬波、雙升壓斬波、雙降壓斬波、雙共發(fā)射極,三—雙共發(fā)射極,三—半橋等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).
3FRED模塊:各種不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的FRED/標(biāo)準(zhǔn)整流器模塊,包括單二極管、半橋、共陽(yáng)、共陰、全橋、三相整流橋等結(jié)構(gòu).

三、RF功率MOSFET分為下面幾類(lèi)
1高電壓RF功率MOSFET:RF功率MOSFET的ARF系列是被優(yōu)化用于要求頻率高達(dá)150MHz,工作電壓高達(dá)400V應(yīng)用的產(chǎn)品.RF功率MOSFET歷來(lái)局限于50V或低于50V的應(yīng)用.MICROSEMI通過(guò)將其高電壓MOSFET工藝技術(shù)與RF特定的芯片圖形相結(jié)合,打破了這一限制.
2驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)器-RF MOSFET混合集成電路:RF MOSFET的性能被所選用的驅(qū)動(dòng)器嚴(yán)格和精確的限制著.MICROSEMI針對(duì)RF功率MOSFET設(shè)計(jì)了專(zhuān)門(mén)的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)器-RF MOSFET混合集成電路.
3高頻RF MOSFET:RF MOSFET的VRF系列是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)RF晶體管的改進(jìn)型替代器件,其BVDSS從工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的125V提高至170V,大大提高了VRF系列產(chǎn)品的耐用性.

四、微波功率器件分為下面兩大類(lèi)
1微波二極管:包含PIN二極管、限幅二極管、肖特基二極管、變?nèi)荻O管、噪聲發(fā)生二極管以及芯片電容等,其工作頻率范圍從100Hz到毫米波.產(chǎn)品按照工作頻率、工作電壓及結(jié)構(gòu)形式的不同,形成了多系列產(chǎn)品.產(chǎn)品主要用于衰減器、調(diào)諧器、檢波器、開(kāi)關(guān)和混頻等應(yīng)用.
2微波功率管:包括雙極型晶體管、LDMOS和VDMOS .
主要應(yīng)用于雷達(dá)、通信和電子對(duì)抗作功率放大器,其工作波段可從1MHz到3.5GHz,工作電壓從幾伏到400伏,尤其在雷達(dá)和航空電子中應(yīng)用的脈沖功率管,具有當(dāng)前世界最高產(chǎn)品水平.(如1200~1400MHz輸出功率370W,1030~1090MHz輸出功率1100W,2900~3100MHz輸出功率150W等)

五、分立功率器件分為以下幾類(lèi):
1MOSFET: MOSFET包括MOS5、MOS7、MOS8 和COOLMOS 等系列產(chǎn)品.
MOS5是市場(chǎng)公認(rèn)的高性?xún)r(jià)比產(chǎn)品,一致性好,易并聯(lián),具有高的雪崩能量和高可靠性;
MOS7具有更低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率;
MOS8為最新推廣的的低成本高性能MOSFET;
COOLMOS具有很低的導(dǎo)通電阻,可以大大降低導(dǎo)通損耗;
2IGBT:IGBT 主要包括GP/GA、GN、GT、GF和GS系列產(chǎn)品.
GT/GS/GN/GF系列產(chǎn)品均容易并聯(lián);
GP/GA系列IGBT分別是在MOS7/MOS8工藝基礎(chǔ)上形成的PT型IGBT,具有很高的開(kāi)關(guān)頻率,頻率可達(dá)到100KHz,但是這兩種系列的IGBT不容易并聯(lián)使用.
GN系列為利用場(chǎng)終止+溝槽柵技術(shù)形成的IGBT,具有很低的導(dǎo)通壓降;
GT系列為NPT工藝技術(shù)IGBT,短路能力額定,適合20-60KHz應(yīng)用;
GS系列是在GT工藝基礎(chǔ)上改進(jìn)的IGBT,更適合更高頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,頻率可達(dá)到100KHz;
GF系列為NPT技術(shù)IGBT,具有低導(dǎo)通損耗和高可靠性,易并聯(lián);
3FRED:FRED主要有D、DQ、DL和肖特基等系列產(chǎn)品.
D系列產(chǎn)品為美國(guó)宇航局指定產(chǎn)品,具有很好的正向和反向特性,適合于輸出整流和續(xù)流等應(yīng)用;
DQ系列具有更軟的恢復(fù)特性和高的額的雪崩能量,適合于PFC、續(xù)流和高頻整流應(yīng)用;
DL系列具有很低的正向壓降,25度/600V FRED正向壓降只有1.25V,非常適合輸出整流應(yīng)用;
肖特基產(chǎn)品耐壓可達(dá)到200V.