這個是MOS吸收回路,RC的取值要和MOS上的開關(guān)頻率對應.用來吸收MOS上的尖峰電壓.

那這個參數(shù)怎么計算了 哪里有資料啊???謝謝

對!

不要算了,算了也是不對的,準備好你的示波器,用上圖種的數(shù)值,分別試下,用示波器看MOS的峰值電壓.

lizlk一語中的!

用頻率反推周期,用周期的5%左右計算rc的乘積,然后用電源電壓、mos管電流5%計算r值,再計算c值.舉例電源電壓300伏,mos管電流100安,頻率20千赫,電阻值大約就是60歐,電容大約就是0.047微法.在保證rc乘積不變的情況下,r、c值可以視情況調(diào)整,需要吸收好一些可以增加c值減小r值,需要減小mos管沖擊電流k可以增加r值減小c值,吸收好則沖擊電流大,沖擊電流小則吸收差,不可能十全十美為了更好的綜合兩者優(yōu)點有的電路在電阻上并一個快恢復二極管、電阻串,正向時吸收很好,反向時放電很小,.其實就是個電子學十分之一原則,開通、關(guān)斷損耗十分之一,開通、關(guān)斷周期十分之一,每周期兩次開通關(guān)斷正好5%.

我用你的方法計算了一下那個例子,好像不對,請幫忙詳細解答一下,謝謝!

3538091253879760.pdf

中間有一部分詳細說明了反激式開關(guān)電源的RCD吸收回路.有計算方法!

頂

學習了

怎么計算啊

怎么算啊     能不能告訴我