電池?zé)o輸出異常情況分析
各位業(yè)界的高手,小弟不才,有一個(gè)問題向請(qǐng)教各位,附件中是一張?jiān)韴D,這是根據(jù)實(shí)際清況測(cè)試來的,器件沒有損壞,也沒有更換任何元件,但是要說是虛焊,也有點(diǎn)說不過去,還有是什么情況會(huì)引起各個(gè)點(diǎn)的電壓變化這么大,從R1的電阻電端的電壓變化,再到CO DO控制端的電壓變化,和輸出的假像電壓,(這一切可以就是MOSFET沒有導(dǎo)通,可測(cè)試連接情況是能的,各個(gè)點(diǎn)都是連接在一起的)MOSFET一加錫就回復(fù)到近似于電芯的電壓,輸出充放電都正常,弄的我有些不解,所以在此所大家請(qǐng)教,望各路高手,指導(dǎo)一下,謝謝!
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@fei668
D0是關(guān)掉的啊
DO是關(guān)掉的沒錯(cuò),R1上兩端的壓降也不一樣,按正常的電路,R1兩端的電壓,幾乎是等于電芯的電壓,但現(xiàn)在的情況是出現(xiàn)R1上兩端的電降存在不一樣,從這一點(diǎn)上看,有點(diǎn)類似于R1和保護(hù)IC里的某一塊連接,然后對(duì)地導(dǎo)通,有點(diǎn)像是串聯(lián)分壓的情況,但是只要在MOSFET加上錫,就可以恢復(fù)到正常狀態(tài),沒有換過任何器件,關(guān)于這一點(diǎn)有點(diǎn)沒有搞明白,元件沒有損壞,連接也正常,可是就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)假像電壓,想來想去,沒有想到一個(gè)比較合理的答案,其實(shí)一直有在想這個(gè)事,有可能性是MOSFET的原因,就為MOSFET存在著已損壞的情況,類似于擊穿,但不是很明顯,也就是微擊穿,所以有可能一上電,IC的DO和CO腳由于MOSFET的擊穿,被拉到地,從而使R1上的壓降也存在異常,只要對(duì)MOSFET補(bǔ)錫,就恢復(fù)正常,是由于MOSFET是屬半導(dǎo)體器件,溫度可能使MOSFET的介質(zhì)發(fā)生變化,所以又有恢復(fù)正常輸出的情況?也就是說,IC是正常的,只要把MOSFET換掉,就可以恢復(fù)正常,問題就出在MOSFET上,但是MOSFET的問題我也說不清,要么就是損壞,要么就是不損壞,好像沒有存在于,時(shí)好時(shí)壞的情況,以不知道這樣分析對(duì)不對(duì),所以還請(qǐng)各位高好,幫忙斧正,謝謝.
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@lmdk1999
DO是關(guān)掉的沒錯(cuò),R1上兩端的壓降也不一樣,按正常的電路,R1兩端的電壓,幾乎是等于電芯的電壓,但現(xiàn)在的情況是出現(xiàn)R1上兩端的電降存在不一樣,從這一點(diǎn)上看,有點(diǎn)類似于R1和保護(hù)IC里的某一塊連接,然后對(duì)地導(dǎo)通,有點(diǎn)像是串聯(lián)分壓的情況,但是只要在MOSFET加上錫,就可以恢復(fù)到正常狀態(tài),沒有換過任何器件,關(guān)于這一點(diǎn)有點(diǎn)沒有搞明白,元件沒有損壞,連接也正常,可是就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)假像電壓,想來想去,沒有想到一個(gè)比較合理的答案,其實(shí)一直有在想這個(gè)事,有可能性是MOSFET的原因,就為MOSFET存在著已損壞的情況,類似于擊穿,但不是很明顯,也就是微擊穿,所以有可能一上電,IC的DO和CO腳由于MOSFET的擊穿,被拉到地,從而使R1上的壓降也存在異常,只要對(duì)MOSFET補(bǔ)錫,就恢復(fù)正常,是由于MOSFET是屬半導(dǎo)體器件,溫度可能使MOSFET的介質(zhì)發(fā)生變化,所以又有恢復(fù)正常輸出的情況?也就是說,IC是正常的,只要把MOSFET換掉,就可以恢復(fù)正常,問題就出在MOSFET上,但是MOSFET的問題我也說不清,要么就是損壞,要么就是不損壞,好像沒有存在于,時(shí)好時(shí)壞的情況,以不知道這樣分析對(duì)不對(duì),所以還請(qǐng)各位高好,幫忙斧正,謝謝.
正常的保護(hù)電路是D0電壓為電芯電壓或者嚴(yán)格意義上的0V,如果有電壓,肯定是在MOS跟地之間形成了一個(gè)電阻,與IC內(nèi)部的上拉電阻形成了分壓造成的,這里情況可能有很多種,最可能的兩種一種就是虛焊,另外一種是MOS封裝的問題,個(gè)別差的封裝廠封裝的膠體不能充分絕緣,也是一種可能,具體要根據(jù)電路分析
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