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驅(qū)動(dòng)MOS的驅(qū)動(dòng)芯片選擇問(wèn)題

請(qǐng)問(wèn)對(duì)MOS選取驅(qū)動(dòng)芯片的話,芯片驅(qū)動(dòng)電流是怎樣選擇的?  大家有什么經(jīng)驗(yàn)公式嗎?   我一般按Qg=IT 其中Qg是柵電荷  I是驅(qū)動(dòng)電流 T是上升時(shí)間   不知對(duì)不對(duì)?請(qǐng)高手指正.
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wsl001
LV.2
2
2009-09-02 16:19
頂一下
0
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ayong168
LV.5
3
2009-09-02 17:48
根據(jù)功率管的柵電容大小
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wsl001
LV.2
4
2009-09-03 11:13
@ayong168
根據(jù)功率管的柵電容大小
求教選擇經(jīng)驗(yàn)或公式.
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wsl001
LV.2
5
2009-10-15 21:13
@ayong168
根據(jù)功率管的柵電容大小
請(qǐng)問(wèn)有具體的計(jì)算公式嗎? 或經(jīng)驗(yàn)結(jié)論嗎 ?
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2009-10-16 09:06
@wsl001
請(qǐng)問(wèn)有具體的計(jì)算公式嗎?或經(jīng)驗(yàn)結(jié)論嗎?
告訴你一個(gè)最簡(jiǎn)單的方法,就是30mA驅(qū)動(dòng)1A的MOS.
假如一個(gè)芯片是250mA的驅(qū)動(dòng)電流那么一般可以驅(qū)動(dòng)
7A左右的MOS.
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wsl001
LV.2
7
2009-10-17 10:31
@tqr987654321
告訴你一個(gè)最簡(jiǎn)單的方法,就是30mA驅(qū)動(dòng)1A的MOS.假如一個(gè)芯片是250mA的驅(qū)動(dòng)電流那么一般可以驅(qū)動(dòng)7A左右的MOS.
謝謝
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wsl001
LV.2
8
2009-10-17 10:33
@tqr987654321
告訴你一個(gè)最簡(jiǎn)單的方法,就是30mA驅(qū)動(dòng)1A的MOS.假如一個(gè)芯片是250mA的驅(qū)動(dòng)電流那么一般可以驅(qū)動(dòng)7A左右的MOS.
謝謝  這個(gè)應(yīng)該是和柵電荷有關(guān)系  現(xiàn)在MOS制作技術(shù)進(jìn)步很快,有沒(méi)有驅(qū)動(dòng)電流要求和柵電荷關(guān)系的公式.
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