隨著MATLAB中PSB元件庫出現(xiàn)，現(xiàn)在用MATLAB進行電力電子仿真的越來越多，希望各位有識之士給我一些提點：
    具體問題是：在PSB中的MOSFET模型過于簡單，并且最大的問題是其G極不是物理G極，只是一個接受控制信號的柵極（用過的人都知道，給其一個“1”就開通），沒有那種門嵌電壓的效果，隨著Vgs電壓從開通電壓上升，其漏極電流會逐漸變大，并且在PSB中的MOSFET中，寄生電容加不上去，只有一個Cds,現(xiàn)在我想在MATLAB環(huán)境下建立MOSFET的詳細模型，不知道該怎么去做了，希望有這方面經(jīng)驗的仁兄給我點提點（是不是要重新搭開關(guān)模型），如果能提供一些MOSFET建立模型的文章（小信號，大信號）都可以，謝謝了