IGBT驅(qū)動到底快好還是慢好?業(yè)界沒有定論.

我是快速驅(qū)動的支持者.在驅(qū)動上不產(chǎn)生高壓振蕩的情況下,我會盡量快的開關(guān)IGBT.

    從開通角度:整流二極管或其它雜散電容引起的開通損耗對IGBT來講是可以承受的(與MOSFET有不同),同時在電路上是可以處理的.

    從關(guān)閉角度:由于拖尾,快速關(guān)閉對IGBT關(guān)閉損耗沒有太大影響.既然如此,快速關(guān)閉未嘗不可.減小關(guān)閉損耗可以在電路原理上解決.

如果驅(qū)動內(nèi)阻足夠小,負(fù)壓沒有必要,-5V足以.我十幾年沒見過dv/dt過高引起的IGBT失效現(xiàn)象,這種只是理論上的會產(chǎn)生的失效早就應(yīng)該在教科書上刪去.當(dāng)然,從電路結(jié)構(gòu)上需要引起重視.

從小功率來看,IGBT,MOSFET可以使用同樣驅(qū)動.

對MOSFET,開通引起的大電流需要特別注意,因為它是多子器件,開通內(nèi)阻小,開通的瞬態(tài)功耗有可能使MOSFET失效加快.

因此,ZVS經(jīng)常用在MOSFET,ZCS用在IGBT.



我自己做的驅(qū)動器JD10.短路驅(qū)動能力>20A,開通沿時<180ns,關(guān)閉延時<120ns.驅(qū)動0.1u,3.3R串聯(lián)負(fù)載,上升率<100ns.體積55x20.如果各位同行有更好的驅(qū)動器資料,請告知.



不勝感激.