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4MH開關(guān)頻率下MOS的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題

全橋電路要求開關(guān)頻率4MH,MOS的Qg=35nc,互補(bǔ)驅(qū)動(dòng),要求死區(qū)時(shí)間占總周期的10%.大家有沒有驅(qū)動(dòng)此MOS的號(hào)方法.
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wsl001
LV.2
2
2009-11-12 12:01
自己頂一下,各位多幫忙呀    謝謝   著急呀
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hypower
LV.7
3
2009-11-12 16:32
@wsl001
自己頂一下,各位多幫忙呀    謝謝  著急呀
這個(gè)不知能用不能用

TC4427.pdf
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閑人
LV.5
4
2009-11-12 19:59
這么高的頻率,那驅(qū)動(dòng)損耗得有多大?
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hjdng
LV.3
5
2009-11-13 08:12
4M?有這么快嗎?沒有怎么高的頻率驅(qū)動(dòng)器吧,就是有,電路布局也是難事.
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wsl001
LV.2
6
2009-11-13 09:41
@hypower
這個(gè)不知能用不能用TC4427.pdf
感謝推薦, 一般芯片在這個(gè)頻率下很熱.我用UCC27324在1M頻率下做過(guò)試驗(yàn),結(jié)果熱的厲害.我考慮要在這個(gè)頻率下驅(qū)動(dòng)要考慮一下兩點(diǎn)1:驅(qū)動(dòng)速度要足夠快,這要求驅(qū)動(dòng)器瞬時(shí)電流足夠大.2:驅(qū)動(dòng)能量的循環(huán)利用.
   美國(guó)已經(jīng)有在4M下能量循環(huán)利用的MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù), 最近我也在設(shè)計(jì)此類電路,基本思路應(yīng)該是用小MOS來(lái)驅(qū)動(dòng)大MOS的開啟,MOS放電時(shí)應(yīng)該加電路吧放電能量循環(huán)利用. 可以考慮用驅(qū)動(dòng)變壓器參與能量的循環(huán)利用.
   讓我們一起努力把這個(gè)電路做出來(lái)吧!
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wsl001
LV.2
7
2009-11-13 09:42
@閑人
這么高的頻率,那驅(qū)動(dòng)損耗得有多大?
請(qǐng)看上貼,有興趣幫忙設(shè)計(jì)一下把
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why_why
LV.3
8
2009-11-15 15:20
需要降低QG,QG=11的我做過(guò),效果尚可.采用低電壓驅(qū)動(dòng),例如MOS完全開啟要5v,則用6V驅(qū)動(dòng)即可,減少充放電的電荷數(shù).要是用15v驅(qū)動(dòng),那會(huì)燒毀驅(qū)動(dòng)芯片的.
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wsl001
LV.2
9
2009-11-17 12:24
@why_why
需要降低QG,QG=11的我做過(guò),效果尚可.采用低電壓驅(qū)動(dòng),例如MOS完全開啟要5v,則用6V驅(qū)動(dòng)即可,減少充放電的電荷數(shù).要是用15v驅(qū)動(dòng),那會(huì)燒毀驅(qū)動(dòng)芯片的.
請(qǐng)問(wèn)你做過(guò)的是驅(qū)動(dòng)幾顆MOS呀  我的是4顆   而且柵電荷比較大    每個(gè)有30幾nC   減小驅(qū)動(dòng)電平的方法試了  有改善    但是不理想     你做的時(shí)候用的是哪顆IC?
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