看sense電阻上的電壓斜率是否突變,突變就是飽和了.

是在低壓大電流的情況測試吧

滿載,其實應(yīng)該看OCP的臨界點不飽和才好,高壓輸入更容易飽和.

那怎么看OCP的臨界點呢,謝謝,經(jīng)常看到大師發(fā)表一些好的東東,今天碰到真是難得呀

就是輸出一直加載,直到輸出保護(hù)線路動作前的時刻,或者輸出功率開始下降前(直接反映是輸入功率開始下降)

奧知道了,再請問一下LP加大是否更容易飽和些

一般反激的是這樣的

謝謝大師,那么晚還在呀,晚安了,以后再請教您了

高壓輸入更容易飽和,依據(jù)是什么?

反激的就是這樣的,自己可以推導(dǎo)一下,也可以驗證.

我只知道我做的實驗,在高壓輸入情況下Ipeak稍低于低壓輸入的情況.
你不是要告訴我,高壓輸入情況下,磁體的發(fā)熱嚴(yán)重點吧.
公式能不能推給我看看,謝謝.

我也糊涂了,不明白為什么反激的,高Lp 或高Vin 時會更容易飽和.

可以很簡單的推出Vi*Ton是會隨著Toff的增加而增加的.

Lp高是因為會疊加直流磁通,&B的空間變小,還有就是儲能能力下降.
但是Lp不是直接影響飽和的原因.

我想你只考慮到了B的變化量,沒考慮到直流的B吧,在全電壓范圍內(nèi)DCM模式下,你說的沒錯．但在ccm模式下,我覺得是不一定的．所以我并不認(rèn)為高VIN下,就一定易飽和,涉及到很多東西．

你堅持吧,這個不好強(qiáng)求,我不是很喜歡用想象的方式分析問題的.

說的是CCM吧,我覺得是
1. Lp高, ΔB(ΔI)變小,但Bpk(Ipk)亦變小,
2. Vin高,ΔB(ΔI)變大,但Bpk(Ipk)會變小,
所以兩者變高,都不會更容易飽和.

如果是DCM,更加不成立.

哪你把公式推出來就得了啊,我也沒看到你的有效證明.不要動不動就說你堅持吧,不好強(qiáng)求的.或者說別人是想象之類的話題,你能拿出證明了,大家看了,自然不用說什么堅持不堅持的話題了.

他可能想告訴我Uvin高Ton>Uvin低Ton,根據(jù)NB(變化量)S=UTon的公式得出,B(變化量)高>B(變化量)低,所以Vin高時易飽和．哪我想在全部DCM情況下可能是他說的哪樣．

我在14帖已經(jīng)把推導(dǎo)的結(jié)論說得很清楚了, 你應(yīng)該是當(dāng)領(lǐng)導(dǎo)的料,什么都喜歡看現(xiàn)成的.

14貼哪樣就算說的很清楚了?算了,我理解能力差,也不麻煩你了.

我是按照CCM推導(dǎo)的,DCM公式太復(fù)雜,沒有具體去推過.

不要只看ΔB,B的峰值Bpk才重要(不竟飽和的margin 是Bsat-Bpk),Vin高了,Bpk反而低了,這是可以推導(dǎo)出來的.
DCM時,Vin的變化根本不影響Ipk(Bpk),更談不上影響飽和.

是不是說反啦,CCM的復(fù)雜吧.不過我的推導(dǎo)好像也沒錯呀.

沒有說反,DCM的D是跟負(fù)載有關(guān)的,比較復(fù)雜,你推導(dǎo)的沒有錯,但是我也沒有找到我的推導(dǎo)錯在那里,繼續(xù).

我之前有做過一次實驗,低壓輸入時,工作半小時,CS波形發(fā)生突變,變壓器飽和.而高壓輸入時,工作四小時還沒發(fā)現(xiàn)變壓器飽和.

其實,OCP臨界點遠(yuǎn)離飽和點更好,因要考慮溫度升起來后,變壓器飽和磁通密度會有所降低.另外,在同等輸出功率條件下(無PFC),輸入電壓越低,變壓器越容易飽和吧.因其磁化電流更大,輸入電容兩端的紋波電壓也會增加.

VT=NBS中的B具體是&B還是總電流引起的B? 怎么感覺越來越糊涂了?

我碰到的剛好相反,低壓90Vac可以測試高溫直到溫度穩(wěn)定,但是高壓264Vac輸入很快就飽和炸機(jī)了.
看來得仔細(xì)分析一下工作狀態(tài)的影響才行.

B的變化量,是交流信號引起的.&B