采用第三代有源箝位技術(shù)專(zhuān)利,其特點(diǎn)是在第二代有源箝位的基礎(chǔ)上將磁芯重定時(shí)釋放出的能量轉(zhuǎn)送至負(fù)載.所以實(shí)現(xiàn)了更高的轉(zhuǎn)換效率.它共有三個(gè)電路方案:其中一個(gè)方案可以?huà)?cǎi)用N溝MOSFET.因而工作頻率較高,採(cǎi)用該技術(shù)可以將ZVS軟開(kāi)關(guān)、同步整流技術(shù)、磁能轉(zhuǎn)換都結(jié)合在一起,因而它實(shí)現(xiàn)了高達(dá)92%的效率及250W/in3以上的功率密度.(即四分之一磚DC/DC做到250W功率輸出、半磚DC/DC做到500W功率輸出及92%以上的轉(zhuǎn)換效率)1129697395.pdf1129697791.pdf1129697816.pdf