大功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
小弟請教有經(jīng)驗(yàn)的前輩,要使IGBT/MOSFET能快速開關(guān),必須提供足夠的驅(qū)動(dòng)峰值電流,一般驅(qū)動(dòng)芯片(VCC=15V)的輸出都接了10歐左右的限流電阻,如果驅(qū)動(dòng)大功率的IGBT(需要3~4A驅(qū)動(dòng)峰值電流),這個(gè)限流電阻可否省略?請各位不吝賜教!
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