南京銀茂微電子推出全系列IGBT模塊
600V、1200V、1700V
半橋
H橋
斬波(二極管在低壓側(cè))
斬波(二極管在高壓側(cè))
共發(fā)射極二單元
一單元(IGBT+FWD)
三相全橋
全橋+斬波
六單元
七單元 PIM
IPM
擁有核心晶圓開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)能力,真正擁有核心技術(shù),用品質(zhì)和可靠性說(shuō)話!歡迎各位提出質(zhì)疑和建議!
K系列適用于UPS行業(yè),芯片特性如下:
可提供的封裝平臺(tái)為:
輸出能力比較:
我們是真正做技術(shù)的人,做為亞太地區(qū)最大的IGBT模塊廠家,擁有年產(chǎn)量100萬(wàn)的生產(chǎn)能力,我們從未打過(guò)任何形式的廣告,在這個(gè)平臺(tái)上也是歡迎各位提出疑問(wèn)和建議,品質(zhì)是大家使用出來(lái)的,不是吹出來(lái)的!
南京銀茂微電子IGBT模塊進(jìn)軍逆變/UPS領(lǐng)域
全部回復(fù)(4)
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