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求TO-220封裝MOEFET代替IGBT模塊

用多個TO220封裝場管代替IGBT模塊,具有高性價比,貨源充足等優(yōu)點(diǎn).TO-220封裝價廉物美,請大家推攢900V以上,工作在50K以下的最大功率的MOSFET!
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2005-11-02 22:02
性能上肯定沒問題,但價格我就不敢說了.100KHZ以下應(yīng)用我們推廣的要點(diǎn)就是用單管的IGBT來替代MOSFETS.除非用拆機(jī)件,否則成本上應(yīng)該沒有什么優(yōu)勢.www.advancedpower.com上面可以查閱到單管IGBT的資料,當(dāng)然也包括大功率的單管MOSFETS
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mr.lan
LV.7
3
2005-11-02 22:13
@理察森初義雄
性能上肯定沒問題,但價格我就不敢說了.100KHZ以下應(yīng)用我們推廣的要點(diǎn)就是用單管的IGBT來替代MOSFETS.除非用拆機(jī)件,否則成本上應(yīng)該沒有什么優(yōu)勢.www.advancedpower.com上面可以查閱到單管IGBT的資料,當(dāng)然也包括大功率的單管MOSFETS
有應(yīng)用實(shí)例嗎?
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mr.lan
LV.7
4
2005-11-02 22:20
@理察森初義雄
性能上肯定沒問題,但價格我就不敢說了.100KHZ以下應(yīng)用我們推廣的要點(diǎn)就是用單管的IGBT來替代MOSFETS.除非用拆機(jī)件,否則成本上應(yīng)該沒有什么優(yōu)勢.www.advancedpower.com上面可以查閱到單管IGBT的資料,當(dāng)然也包括大功率的單管MOSFETS
提問:1,IGBT單管并連好嗎?2,380V全橋20K開關(guān)電路,氬弧焊250A;400A,用IGBT單管有適合方案?
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2005-11-03 08:35
@mr.lan
提問:1,IGBT單管并連好嗎?2,380V全橋20K開關(guān)電路,氬弧焊250A;400A,用IGBT單管有適合方案?
那你要并聯(lián)多少個單管啊!在400安的電焊機(jī)上!太麻煩了!而且在散熱和單管的一致性也不好處理,在保護(hù)上更是麻煩!這只是我個人覺的,可能你有更好的設(shè)計!能不能看看你是怎么設(shè)計的啊?
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挹江
LV.6
6
2005-11-03 12:57
@力天世紀(jì)
那你要并聯(lián)多少個單管啊!在400安的電焊機(jī)上!太麻煩了!而且在散熱和單管的一致性也不好處理,在保護(hù)上更是麻煩!這只是我個人覺的,可能你有更好的設(shè)計!能不能看看你是怎么設(shè)計的啊?
我以前做過單管IGBT的焊機(jī),有單端和半橋的,感覺300A以下優(yōu)勢不大,反而比MOS管難控制,特別是多管并聯(lián)時.而且頻率一般不超過30K,主變大,整機(jī)成本不比MOS管低.最大的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單,維護(hù)方便.300A以上用單管不如用IGBT模塊了,200A半橋IGBT才400多,而用單管60-100,用八只的話,也要200多,單管從結(jié)構(gòu)上,一致性,散熱上做好難度要大的多,200多的差價在300A以上機(jī)器我認(rèn)為可以不考慮.
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mr.lan
LV.7
7
2005-11-03 18:51
@挹江
我以前做過單管IGBT的焊機(jī),有單端和半橋的,感覺300A以下優(yōu)勢不大,反而比MOS管難控制,特別是多管并聯(lián)時.而且頻率一般不超過30K,主變大,整機(jī)成本不比MOS管低.最大的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單,維護(hù)方便.300A以上用單管不如用IGBT模塊了,200A半橋IGBT才400多,而用單管60-100,用八只的話,也要200多,單管從結(jié)構(gòu)上,一致性,散熱上做好難度要大的多,200多的差價在300A以上機(jī)器我認(rèn)為可以不考慮.
我想用MOSFET,TO220封裝,900V的,應(yīng)該不貴?每個1---3元,用十個才幾十元,有好界紹?
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挹江
LV.6
8
2005-11-03 20:03
@mr.lan
我想用MOSFET,TO220封裝,900V的,應(yīng)該不貴?每個1---3元,用十個才幾十元,有好界紹?
這方面瑞凌用的最多了.如WS300用20個MOS管,一般用9008或2611.價格好象沒有你的便宜,拆機(jī)的也有4~5元.
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mr.lan
LV.7
9
2005-11-03 20:15
@挹江
這方面瑞凌用的最多了.如WS300用20個MOS管,一般用9008或2611.價格好象沒有你的便宜,拆機(jī)的也有4~5元.
謝謝!TO220封裝的應(yīng)平D!
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oude
LV.5
10
2005-11-04 11:06
@mr.lan
提問:1,IGBT單管并連好嗎?2,380V全橋20K開關(guān)電路,氬弧焊250A;400A,用IGBT單管有適合方案?
250A氬弧焊,用APT50GN120B2應(yīng)該不成問題,不需要并聯(lián).

1131073460.pdf

400A的還是要看大俠的應(yīng)用水平了.
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挹江
LV.6
11
2005-11-04 13:12
@oude
250A氬弧焊,用APT50GN120B2應(yīng)該不成問題,不需要并聯(lián).1131073460.pdf400A的還是要看大俠的應(yīng)用水平了.
價格怎樣?
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mr.lan
LV.7
12
2005-11-04 22:18
@oude
250A氬弧焊,用APT50GN120B2應(yīng)該不成問題,不需要并聯(lián).1131073460.pdf400A的還是要看大俠的應(yīng)用水平了.
有實(shí)例?
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oude
LV.5
13
2005-11-05 13:40
@挹江
價格怎樣?
60多吧,
具體價格的就看量了.
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sunsusie
LV.6
14
2005-11-07 00:15
@oude
250A氬弧焊,用APT50GN120B2應(yīng)該不成問題,不需要并聯(lián).1131073460.pdf400A的還是要看大俠的應(yīng)用水平了.
這個管子質(zhì)量如何?價格倒是不低啊.
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2005-11-24 07:37
@理察森初義雄
性能上肯定沒問題,但價格我就不敢說了.100KHZ以下應(yīng)用我們推廣的要點(diǎn)就是用單管的IGBT來替代MOSFETS.除非用拆機(jī)件,否則成本上應(yīng)該沒有什么優(yōu)勢.www.advancedpower.com上面可以查閱到單管IGBT的資料,當(dāng)然也包括大功率的單管MOSFETS
APT50GF120JRD,APT60GF120JRD的價格?
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2005-11-24 07:37
@oude
60多吧,具體價格的就看量了.
APT50GF120JRD,APT60GF120JRD的價格?
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feng4081275
LV.5
17
2005-11-28 10:33
@mr.lan
謝謝!TO220封裝的應(yīng)平D!
TO-220的應(yīng)該不怎么樣,TO-3P或TO-247的還差不多,我這有900V的
FSC的9N90和11N90,而且有人在批量使用
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feng4081275
LV.5
18
2005-11-28 10:36
@mr.lan
謝謝!TO220封裝的應(yīng)平D!
用TO-220的還沒見過,用TO-3P和TO-247的就很多,500V的900V的都有人在用,我這都有,IGBT單管也有
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2005-12-25 11:34
@暮云斜飛去
APT50GF120JRD,APT60GF120JRD的價格?
這種封裝的管子也便宜不到哪里去,表面上看比西門康75A的雙管IGBT模塊便宜10%而已.
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