電路圖如下:
1086745216.3v.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20
這是小弟初做的設(shè)計(jì),還沒學(xué)會精確的計(jì)算,試驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)好多數(shù)據(jù)不對,已經(jīng)燒壞了好多Mosfet和二極管.發(fā)現(xiàn)Mosfet耐壓不夠,而整流二極管的頻率響應(yīng)也不夠,目前小弟換了些器件在繼續(xù)做試驗(yàn)...
這里虔誠地請求各位大俠的指點(diǎn),如何對變壓器及二極管等的參數(shù)計(jì)算,小弟先謝為上,目前偶繼續(xù)在做試驗(yàn),稍等會將測量到的波形傳上來,大家共同探討!~~
錯(cuò)誤分析 [反激升壓隔離轉(zhuǎn)換電路]
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給你一個(gè)建議,MOS的吸收電路改成RCD吸收.就是在R24上并聯(lián)一個(gè)二極管,陰極接地.
MOS的G極最好接一個(gè)4.7~10左右的電阻,可以削弱開關(guān)振蕩.并在MOS的G、S極接10K電阻.
在電流采樣建議R22和IC4腳之間加一個(gè)濾波電容,容量為220p~1n之間.
如果變壓器工作在電流連續(xù)模式,建議次級整流二極管上增加RC吸收電路.
U9的1、2腳之間可簡單加個(gè)470n~1uF電容作補(bǔ)償.
U9的1腳和信號地最好加個(gè)電阻.
因?yàn)闆]有用過LT3803,所有建議是基于UC3842電路的,如有不妥,敬請包涵.
MOS的G極最好接一個(gè)4.7~10左右的電阻,可以削弱開關(guān)振蕩.并在MOS的G、S極接10K電阻.
在電流采樣建議R22和IC4腳之間加一個(gè)濾波電容,容量為220p~1n之間.
如果變壓器工作在電流連續(xù)模式,建議次級整流二極管上增加RC吸收電路.
U9的1、2腳之間可簡單加個(gè)470n~1uF電容作補(bǔ)償.
U9的1腳和信號地最好加個(gè)電阻.
因?yàn)闆]有用過LT3803,所有建議是基于UC3842電路的,如有不妥,敬請包涵.
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@乞力馬扎羅的雪
給你一個(gè)建議,MOS的吸收電路改成RCD吸收.就是在R24上并聯(lián)一個(gè)二極管,陰極接地.MOS的G極最好接一個(gè)4.7~10左右的電阻,可以削弱開關(guān)振蕩.并在MOS的G、S極接10K電阻.在電流采樣建議R22和IC4腳之間加一個(gè)濾波電容,容量為220p~1n之間.如果變壓器工作在電流連續(xù)模式,建議次級整流二極管上增加RC吸收電路.U9的1、2腳之間可簡單加個(gè)470n~1uF電容作補(bǔ)償.U9的1腳和信號地最好加個(gè)電阻.因?yàn)闆]有用過LT3803,所有建議是基于UC3842電路的,如有不妥,敬請包涵.
多謝!!
我測得信號發(fā)現(xiàn)Mosfet被擊穿的原因可能在于峰值電流的關(guān)系,傳上來大家看一下:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/18/1086752510.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
我測得信號發(fā)現(xiàn)Mosfet被擊穿的原因可能在于峰值電流的關(guān)系,傳上來大家看一下:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/18/1086752510.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
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@rover
多謝!!我測得信號發(fā)現(xiàn)Mosfet被擊穿的原因可能在于峰值電流的關(guān)系,傳上來大家看一下:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/18/1086752510.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
我覺的是你的IC的驅(qū)動(dòng)能力不夠,MOS的G極波形太難看了.
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@rover
多謝!!我測得信號發(fā)現(xiàn)Mosfet被擊穿的原因可能在于峰值電流的關(guān)系,傳上來大家看一下:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/18/1086752510.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
從你貼圖及原理圖來看,你的MOSFET驅(qū)動(dòng)太強(qiáng),這樣很容易造成自激震蕩,從而引起“炸雞”現(xiàn)象,建議在6腳與MOSFET之間串小阻值電阻及反向極間電容電荷瀉放二極管,電阻阻值范圍在范圍在10-200歐姆左右看情況調(diào)整.如圖:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/18/1086759294.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@老狼
從你貼圖及原理圖來看,你的MOSFET驅(qū)動(dòng)太強(qiáng),這樣很容易造成自激震蕩,從而引起“炸雞”現(xiàn)象,建議在6腳與MOSFET之間串小阻值電阻及反向極間電容電荷瀉放二極管,電阻阻值范圍在范圍在10-200歐姆左右看情況調(diào)整.如圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/18/1086759294.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
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