MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來是非常簡(jiǎn)單，但是詳細(xì)分析起來并不簡(jiǎn)單。下面我會(huì)花一點(diǎn)時(shí)間，一點(diǎn)點(diǎn)來解析MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動(dòng)電路。
首先，來做一個(gè)實(shí)驗(yàn)，把一個(gè)MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會(huì)出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會(huì)導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢？因?yàn)槲腋緵]有加驅(qū)動(dòng)電壓，MOS怎么會(huì)導(dǎo)通？用下面的圖，來做個(gè)仿真：
去探測(cè)G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下：
G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會(huì)導(dǎo)通，這是因?yàn)镸OSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。
關(guān)于MOSFET的寄生參數(shù)的描述，可以參考蜘蛛先生的帖子：http://bbs.dianyuan.com/topic/579603
這種情況有什么危害呢？實(shí)際情況下，MOS肯定有驅(qū)動(dòng)電路的么，要么導(dǎo)通，要么關(guān)掉。問題就出在開機(jī)，或者關(guān)機(jī)的時(shí)候，最主要是開機(jī)的時(shí)候，此時(shí)你的驅(qū)動(dòng)電路還沒上電。但是輸入上電了，由于驅(qū)動(dòng)電路沒有工作，G級(jí)的電荷無法被釋放，就容易導(dǎo)致MOS導(dǎo)通擊穿。那么怎么解決呢？
在GS之間并一個(gè)電阻.
那么仿真的結(jié)果呢:
幾乎為0V.
那什么叫驅(qū)動(dòng)電阻呢，通常驅(qū)動(dòng)器和MOS的G極之間，會(huì)串一個(gè)電阻，就如下圖的R3。
驅(qū)動(dòng)電阻的作用，如果你的驅(qū)動(dòng)走線很長，驅(qū)動(dòng)電阻可以對(duì)走線電感和MOS結(jié)電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常，現(xiàn)在的PCB走線都很緊湊，走線電感非常小。
第二個(gè)，重要作用就是調(diào)解驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力，調(diào)節(jié)開關(guān)速度。當(dāng)然只能降低驅(qū)動(dòng)能力，而不能提高。
對(duì)上圖進(jìn)行仿真，R3分別取1歐姆，和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。
紅色波形為R3=1歐姆，綠色為R3=100歐姆。可以看到，當(dāng)R3比較大時(shí)，驅(qū)動(dòng)就有點(diǎn)力不從心了，特別在處理米勒效應(yīng)的時(shí)候，驅(qū)動(dòng)電壓上升很緩慢。
但是驅(qū)動(dòng)速度慢，又有什么壞處呢？那就是開關(guān)損耗大了，下圖是不同驅(qū)動(dòng)電阻下，導(dǎo)通損耗的功率曲線。
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢姡?qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，損耗明顯大了。
有問題想請(qǐng)教下樓主，最近在調(diào)試全橋電路，發(fā)現(xiàn)當(dāng)輸入電壓加到100V的時(shí)候驅(qū)動(dòng)波形就不對(duì)了，Vgs會(huì)出現(xiàn)一個(gè)跌落，如示波器截圖所示，輸入電壓再升高一些就會(huì)出現(xiàn)橋臂直通的情況，同一橋臂的兩個(gè)管子就燒掉了。我是利用光耦A(yù)3120來驅(qū)動(dòng)橋臂的四個(gè)開關(guān)管的。希望得到您的幫助，謝謝了！
你的波形呢？
有可能是驅(qū)動(dòng)能力不夠
