BUCK-BOOST升壓電路,輸入12V,輸出20V2A,頻率約40kHz.電路如圖
問題是功率管發(fā)熱嚴(yán)重,示波器看功率管導(dǎo)通時壓降約1.2V到2.2V,奇怪的很.
問題困擾了很久,初次做電源電路,請各位同行指點迷津,謝謝了!
求教:BUCK-BOOST升壓電源的奇怪現(xiàn)象 匯報一
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電路錯了！D14陰極到GND接些電容試試。
@讓你記得我的好
這要看他后面電路對電源的具體使用情況了。比如，他后級電路和前面不共地，后面的地是前面的V+，那么他這么接線也是對的呀。而且，不管是他這么接線，還是接成BOOST形式的。都解釋不了3710導(dǎo)通后VDS電壓那么高。
Q1的開關(guān)速度被前面的圖騰拖累了，建議增加RG電阻1-10歐姆的，Q13和Q10建議選用8050和8550，放大倍數(shù)一致要好，你現(xiàn)在的9014和9012都不是同一級別的器件，9014放大倍數(shù)遠(yuǎn)大于9012，就算放大倍數(shù)一樣也不是能實現(xiàn)同步開關(guān)，所以你用起來的話VGS起始電壓會比較高的，而在PWM低電平的時候，9012沒有足夠的放大能力，沒能及時把GS電容放電，因為你用的是40KHZ的頻率，9012開關(guān)時間慢，MOS類似工作在線性放大模式，你的DS波形已經(jīng)說明了MOS處于線性和開關(guān)的臨界狀態(tài)，1.2V是接近開關(guān)模式，1.2V到2.2V時候完全是放大狀態(tài)。MOS就會很熱，希望我的回復(fù)能幫你解決問題。下面是一些參考：
這個電路看似簡單，其實用起來要考慮的還比較多，簡單談?wù)剛€人的看法，先聲明一下，只是隨手總結(jié)，可能有不對或不足之處，
1）首先要確定的是你需要多少的驅(qū)動能力？要驅(qū)動的負(fù)載（一般可認(rèn)為是功率管）有多少？以MOSFET為例，驅(qū)動其實就是對MOS的門級電容的充放電，這就要考慮你有幾個MOS并聯(lián)，門級電容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驅(qū)動回路寄生電感等，其實就是一個LRC串聯(lián)回路。
2）驅(qū)動能力用個簡化的公式來算就是I=C*Du/Dt，MOS的門級電容先確定，再來考慮你準(zhǔn)備要幾V的門級電壓，然后就是這個電壓建立和消除的時間，也就牽涉到MOS的開通關(guān)斷速度，這會直接影響到功率管的損耗及其它問題，如應(yīng)力等。這幾個想好了，所要的驅(qū)動電流也就出來了。
3)得到這個所要的驅(qū)動電流，再考慮上驅(qū)動回路的一堆寄生參數(shù)等，也就可以推出你圖騰柱電路需提供多少驅(qū)動電流（注意這是個脈沖電流）。
4）這個時候再考慮的就是你PCB板layout的空間，位置，準(zhǔn)備為這個電路花多少錢選器件，用MOS還是BJT，綜合考慮，然后就想辦法選器件吧，當(dāng)然還要考慮IC的輸出信號和你選的圖騰柱器件（MOS或BJT）之間也是個回路，這會不會有問題？
5) 另外要考慮的是，這個圖騰柱能不能徹底關(guān)掉，這就又要考慮N在上還是P在上，正開還是負(fù)開,比如選用PMOS做關(guān)斷，關(guān)斷時圖騰柱輸出會仍有一個等于Vgs電壓的電壓加在你的負(fù)載MOS上，如果這個電壓高于你的負(fù)載MOS門檻的話，----這就意味著你沒關(guān)掉，雖然你前面關(guān)掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS門檻電壓tolerance都會非常大，再考慮到溫度系數(shù)，......這要坐下來算算了
6）還要重點考慮的是圖騰柱的器件也是要損耗功率的，所以要考慮它的溫度及功耗會不會有問題。
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@fsxqw
Q1的開關(guān)速度被前面的圖騰拖累了，建議增加RG電阻1-10歐姆的，Q13和Q10建議選用8050和8550，放大倍數(shù)一致要好，你現(xiàn)在的9014和9012都不是同一級別的器件，9014放大倍數(shù)遠(yuǎn)大于9012，就算放大倍數(shù)一樣也不是能實現(xiàn)同步開關(guān)，所以你用起來的話VGS起始電壓會比較高的，而在PWM低電平的時候，9012沒有足夠的放大能力，沒能及時把GS電容放電，因為你用的是40KHZ的頻率，9012開關(guān)時間慢，MOS類似工作在線性放大模式，你的DS波形已經(jīng)說明了MOS處于線性和開關(guān)的臨界狀態(tài)，1.2V是接近開關(guān)模式，1.2V到2.2V時候完全是放大狀態(tài)。MOS就會很熱，希望我的回復(fù)能幫你解決問題。下面是一些參考：這個電路看似簡單，其實用起來要考慮的還比較多，簡單談?wù)剛€人的看法，先聲明一下，只是隨手總結(jié)，可能有不對或不足之處，1）首先要確定的是你需要多少的驅(qū)動能力？要驅(qū)動的負(fù)載（一般可認(rèn)為是功率管）有多少？以MOSFET為例，驅(qū)動其實就是對MOS的門級電容的充放電，這就要考慮你有幾個MOS并聯(lián)，門級電容有多大？MOS的Rg有多大，加上驅(qū)動回路寄生電感等，其實就是一個LRC串聯(lián)回路。2）驅(qū)動能力用個簡化的公式來算就是I=C*Du/Dt，MOS的門級電容先確定，再來考慮你準(zhǔn)備要幾V的門級電壓，然后就是這個電壓建立和消除的時間，也就牽涉到MOS的開通關(guān)斷速度，這會直接影響到功率管的損耗及其它問題，如應(yīng)力等。這幾個想好了，所要的驅(qū)動電流也就出來了。3)得到這個所要的驅(qū)動電流，再考慮上驅(qū)動回路的一堆寄生參數(shù)等，也就可以推出你圖騰柱電路需提供多少驅(qū)動電流（注意這是個脈沖電流）。4）這個時候再考慮的就是你PCB板layout的空間，位置，準(zhǔn)備為這個電路花多少錢選器件，用MOS還是BJT，綜合考慮，然后就想辦法選器件吧，當(dāng)然還要考慮IC的輸出信號和你選的圖騰柱器件（MOS或BJT）之間也是個回路，這會不會有問題？5)另外要考慮的是，這個圖騰柱能不能徹底關(guān)掉，這就又要考慮N在上還是P在上，正開還是負(fù)開,比如選用PMOS做關(guān)斷，關(guān)斷時圖騰柱輸出會仍有一個等于Vgs電壓的電壓加在你的負(fù)載MOS上，如果這個電壓高于你的負(fù)載MOS門檻的話，----這就意味著你沒關(guān)掉，雖然你前面關(guān)掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS門檻電壓tolerance都會非常大，再考慮到溫度系數(shù)，......這要坐下來算算了6）還要重點考慮的是圖騰柱的器件也是要損耗功率的，所以要考慮它的溫度及功耗會不會有問題。
驅(qū)動換成8050和8550沒改善，明天加RG試試，MOS還管用過IRF540和60N10，現(xiàn)象相同。三極管推動MOS好像用的挺多的。
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過壓了吧！@as9901
圖:1.VGS2V/Div下面的亮線是0伏[圖片] 2.VDS10V/Div[圖片] 3.VDS0.5V/DIV下面的亮線是0伏[圖片]4.電感電流串入0.1歐電阻測的0.5V/Div下面的亮線是0伏[圖片]
從電感電流波形看，電感電流最小的時候，有4A左右，最大的時候，有12A左右？請確認(rèn)是這樣嗎？因為圖看的不太清楚。
你的輸出只有20V/2A，你不覺得這個電感的輸出電流太大了些嗎？
另外，給你貼一下IRF3710datasheet上的截圖
看我紅線標(biāo)出來的地方，當(dāng)MOS的結(jié)溫175度時，ID=12A左右，VDS大約0.7V不到。與你實測的雖然還有不小差距，但好像沒有數(shù)量級的差別了。
我覺得你首先要確認(rèn)電感電流的問題。
靜候佳音！
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@讓你記得我的好
從電感電流波形看，電感電流最小的時候，有4A左右，最大的時候，有12A左右？請確認(rèn)是這樣嗎？因為圖看的不太清楚。你的輸出只有20V/2A，你不覺得這個電感的輸出電流太大了些嗎？另外，給你貼一下IRF3710datasheet上的截圖[圖片] 看我紅線標(biāo)出來的地方，當(dāng)MOS的結(jié)溫175度時，ID=12A左右，VDS大約0.7V不到。與你實測的雖然還有不小差距，但好像沒有數(shù)量級的差別了。我覺得你首先要確認(rèn)電感電流的問題。靜候佳音！
電感電流差不太多,因為效率有70%多,算上占空比等就差不多了.我測過管子壓降具體數(shù)字記不清了,不過10A電流時肯定比1V低很多,我再測一下
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