想仿真一個mos管的全橋電路,自己試了下,沒成功。特來請教各位大蝦們。
廢話少說,上圖。
原理圖。
我來說說可能存在的問題:
1,PMOS是G極電平比S極低大約5V左右就會開通。你圖中的這個接線,上下管有共通現(xiàn)象。例如,當(dāng)驅(qū)動電平是7.5V的時候,上面的PMOS已經(jīng)開通了,而下面的NMOS因為驅(qū)動電壓是7.5V,所以這時候也是開通的。
2,既然是仿真變壓器,那么變壓器次級的負(fù)載當(dāng)然要放進(jìn)去。要么你用變壓器模型,把次級負(fù)載放進(jìn)去。要么你只放變壓器初級電感,但要把次級負(fù)載折算到初級后,并聯(lián)在初級電感上。像你現(xiàn)在這個仿真的圖,那個1mH的是起著電感的作用,而不是變壓器。
是這樣的。
電容呢,必須在次級有負(fù)載的情況下,才會存在負(fù)值。
你這個驅(qū)動電路,相當(dāng)于次級空載了,電容中只有驅(qū)動脈沖對驅(qū)動變壓器的原邊電感勵磁。電容上的電壓,當(dāng)然小了。
可以把電感換成變壓器,次級加個10歐姆的電阻,波形就出來了。
驅(qū)動變壓器的原邊電流,其實,是由兩個分量組成。
一個是空載電流(也就是我們常說的勵磁電流)。
一個是負(fù)載電流(也就是負(fù)載電流按照安匝平衡的原則折算過來的電流)。
像你原電路,負(fù)載只接了一個電感,其實就相當(dāng)于接了一個變壓器,但這個變壓器次級空載,這時候原邊電流就只有空載電流了。這個空載電流很小,還不足以使電容上形成電壓。
這時候,如果換成變壓器,次級接負(fù)載的時候,就存在了負(fù)載折算電流。這樣,原邊電流就兩個分量都存在了,這時候電容兩端的電壓,自然就建立起來了。
這個問題,其實也很好解決。
你在兩個地之間,接一個100M的大電阻即可。這個大電阻中的電流非常小,可以忽略,不影響變壓器初次級的絕緣。這點應(yīng)該沒有疑問吧?
saber仿真的時候,電路中必須存在絕對零點,也就是GND,而且電路中的任何一個結(jié)點,到這個絕對零點,必須存在絕對零點。
當(dāng)你次級采用模擬地時,變壓器次級同相端,就相當(dāng)于浮地了。
saber中的地,有好多種,但最關(guān)鍵的還是 GND。
其他的什么 模擬地,數(shù)字地啦,這些都是網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號。
哦 這樣啊 明白點了 嘿嘿
謝謝