RT!
請(qǐng)問(wèn)哪位高手有解決方案?
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您誤會(huì)了
輸出50V以下適合用Buck; 輸出大於50V要犧牲效率(約2%)使用Buck-Boost
至於電流精度如下分析:一般講三部份
1. Line regulation : 可由初級(jí)輸入端或Duty取得參數(shù)可修正到1%,若沒修正一般會(huì)有7%
2.Themperature impact : DR電感改為ER25增加AE值,降低B working,會(huì)偏差到炸機(jī)
3.mass production consistency : 主影響為三項(xiàng)
(A) 電感值因?yàn)镋R25控制GAP(2%)比DR Core(10%)好
(B) Current sensor電阻(1%)
(C) CS PIN 一般公司+/-10%, 芯瑞SMD802只有+/-5%
若是將高壓引下1M ohm灌入CS PIN,可藉由Current sensor到CS PIN間電阻300 ohm調(diào)整Line影響
若是由VCC經(jīng)270K ohm到LD PIN,接VR10K可調(diào)整因?yàn)殡姼性斐傻纳a(chǎn)偏移量
以上說(shuō)明太淺, 我9/18演講時(shí)會(huì)用簡(jiǎn)報(bào)說(shuō)明
補(bǔ)充說(shuō)明:
輸出功率在50V 300mA有15W,使用ST的4A TO-220,不需散熱片
但是120V 300mA有36W,建議改增加散熱片方式,可用6A TO-220
隔離式做成FLYBACK方式,記得MOSFET上方要DRC SNUBBER,次級(jí)Diode也要SNUBBER
EMI radiation才好過(guò), 36W選RM10, Ae值約0.6~1.0之間,若用RM8很勉強(qiáng)
而FLYBACK與Buck-Boost有雷同之處,同樣的因?yàn)轫汃詈系酱渭?jí),效率約85%,無(wú)法破90%
根據(jù)負(fù)載數(shù)量的不同,輸出電壓在50V~120V內(nèi)變化,那輸出電流在輸出電壓50V和120V的情況下會(huì)相差多大呢,設(shè)計(jì)值是300mA。
大哥的帖子都是繁體啊
http://bbs.dianyuan.com/topic/587659
講過(guò)了,謝謝,我臺(tái)灣來(lái)的