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求寬輸入電壓,輸出50~120V、300mA的恒流電源解決方案

RT!

請(qǐng)問(wèn)哪位高手有解決方案?

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yling
LV.5
2
2010-08-04 11:20

這么高的輸出電壓,有什么好的限壓恒流方案嗎

 

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2010-08-04 13:48
@yling
這么高的輸出電壓,有什么好的限壓恒流方案嗎 

DW8520    具體資料在附件~~請(qǐng)查看,~

DW8520產(chǎn)品介紹 

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2010-08-04 17:43
@luozengling
DW8520   具體資料在附件~~請(qǐng)查看,~[圖片]DW8520產(chǎn)品介紹 
**此帖已被管理員刪除**
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2010-08-04 17:44
@hurongbing
**此帖已被管理員刪除**
LD7101   聯(lián)系方式:0755-83717353   胡融冰  QQ:939754600
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林建良
LV.7
6
2010-08-04 19:43

輸出電壓超過(guò)50V,在AC90V輸入情況下,Duty超過(guò)50%,若使用一般Buck架構(gòu)容易造成異音

建議使用SMD802采Buck-Boost架構(gòu) 

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林建良
LV.7
7
2010-08-04 19:50
@林建良
輸出電壓超過(guò)50V,在AC90V輸入情況下,Duty超過(guò)50%,若使用一般Buck架構(gòu)容易造成異音建議使用SMD802采Buck-Boost架構(gòu)[圖片] 
SMD802  
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yling
LV.5
8
2010-08-04 21:46
@林建良
[圖片]SMD802  

我比較擔(dān)心恒流精度的問(wèn)題,畢竟輸入和輸出的電壓范圍都很大。

還有想問(wèn)一下,這個(gè)電路怎么能做到隔離,寬電壓36W,那么開關(guān)管要用到幾個(gè)安培的?

如果我在前面加個(gè)升壓穩(wěn)壓電路,再接SMD802的降壓電路,這樣恒流精度會(huì)高點(diǎn)嗎,能達(dá)到多高的精度?

希望林版主指教指教一下,謝謝啦。

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林建良
LV.7
9
2010-08-05 04:38
@yling
我比較擔(dān)心恒流精度的問(wèn)題,畢竟輸入和輸出的電壓范圍都很大。還有想問(wèn)一下,這個(gè)電路怎么能做到隔離,寬電壓36W,那么開關(guān)管要用到幾個(gè)安培的?如果我在前面加個(gè)升壓穩(wěn)壓電路,再接SMD802的降壓電路,這樣恒流精度會(huì)高點(diǎn)嗎,能達(dá)到多高的精度?希望林版主指教指教一下,謝謝啦。

您誤會(huì)了

輸出50V以下適合用Buck; 輸出大於50V要犧牲效率(約2%)使用Buck-Boost

至於電流精度如下分析:一般講三部份
1. Line regulation   : 可由初級(jí)輸入端或Duty取得參數(shù)可修正到1%,若沒修正一般會(huì)有7%
2.Themperature impact  : DR電感改為ER25增加AE值,降低B working,會(huì)偏差到炸機(jī)
3.mass production consistency : 主影響為三項(xiàng) 

  (A) 電感值因?yàn)镋R25控制GAP(2%)比DR Core(10%)好
       (B) Current sensor電阻(1%)
       (C) CS PIN 一般公司+/-10%, 芯瑞SMD802只有+/-5%

若是將高壓引下1M ohm灌入CS PIN,可藉由Current sensor到CS PIN間電阻300 ohm調(diào)整Line影響

若是由VCC經(jīng)270K ohm到LD PIN,接VR10K可調(diào)整因?yàn)殡姼性斐傻纳a(chǎn)偏移量

以上說(shuō)明太淺, 我9/18演講時(shí)會(huì)用簡(jiǎn)報(bào)說(shuō)明

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林建良
LV.7
10
2010-08-05 04:46
@yling
我比較擔(dān)心恒流精度的問(wèn)題,畢竟輸入和輸出的電壓范圍都很大。還有想問(wèn)一下,這個(gè)電路怎么能做到隔離,寬電壓36W,那么開關(guān)管要用到幾個(gè)安培的?如果我在前面加個(gè)升壓穩(wěn)壓電路,再接SMD802的降壓電路,這樣恒流精度會(huì)高點(diǎn)嗎,能達(dá)到多高的精度?希望林版主指教指教一下,謝謝啦。

補(bǔ)充說(shuō)明:

輸出功率在50V 300mA有15W,使用ST的4A TO-220,不需散熱片

但是120V 300mA有36W,建議改增加散熱片方式,可用6A TO-220

隔離式做成FLYBACK方式,記得MOSFET上方要DRC SNUBBER,次級(jí)Diode也要SNUBBER

EMI radiation才好過(guò), 36W選RM10, Ae值約0.6~1.0之間,若用RM8很勉強(qiáng)

而FLYBACK與Buck-Boost有雷同之處,同樣的因?yàn)轫汃詈系酱渭?jí),效率約85%,無(wú)法破90%

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yling
LV.5
11
2010-08-05 11:09
@林建良
補(bǔ)充說(shuō)明:輸出功率在50V300mA有15W,使用ST的4ATO-220,不需散熱片但是120V300mA有36W,建議改增加散熱片方式,可用6ATO-220隔離式做成FLYBACK方式,記得MOSFET上方要DRCSNUBBER,次級(jí)Diode也要SNUBBEREMIradiation才好過(guò),36W選RM10,Ae值約0.6~1.0之間,若用RM8很勉強(qiáng)而FLYBACK與Buck-Boost有雷同之處,同樣的因?yàn)轫汃詈系酱渭?jí),效率約85%,無(wú)法破90%

根據(jù)負(fù)載數(shù)量的不同,輸出電壓在50V~120V內(nèi)變化,那輸出電流在輸出電壓50V和120V的情況下會(huì)相差多大呢,設(shè)計(jì)值是300mA。

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2010-08-06 11:18
@yling
根據(jù)負(fù)載數(shù)量的不同,輸出電壓在50V~120V內(nèi)變化,那輸出電流在輸出電壓50V和120V的情況下會(huì)相差多大呢,設(shè)計(jì)值是300mA。

隨便一個(gè)反激IC就可以呀,供電不夠?qū)?,就在供電上加個(gè)串聯(lián)型穩(wěn)壓電源就行了。

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jxy226
LV.3
13
2010-08-06 11:47
@林建良
補(bǔ)充說(shuō)明:輸出功率在50V300mA有15W,使用ST的4ATO-220,不需散熱片但是120V300mA有36W,建議改增加散熱片方式,可用6ATO-220隔離式做成FLYBACK方式,記得MOSFET上方要DRCSNUBBER,次級(jí)Diode也要SNUBBEREMIradiation才好過(guò),36W選RM10,Ae值約0.6~1.0之間,若用RM8很勉強(qiáng)而FLYBACK與Buck-Boost有雷同之處,同樣的因?yàn)轫汃詈系酱渭?jí),效率約85%,無(wú)法破90%

大哥的帖子都是繁體啊

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jxy226
LV.3
14
2010-08-06 11:48
@jxy226
大哥的帖子都是繁體啊
樓主 不是要 講 變壓器的制作嗎 怎么沒信了
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2010-08-06 12:16
@jxy226
樓主不是要講變壓器的制作嗎怎么沒信了
      這也是廣告帖,為什么不刪!
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2010-08-06 14:24
@半導(dǎo)狂人
     這也是廣告帖,為什么不刪!

總刪同行的,而不刪自己的,真垃圾??!

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林建良
LV.7
17
2010-08-09 19:56
@jxy226
樓主不是要講變壓器的制作嗎怎么沒信了

http://bbs.dianyuan.com/topic/587659

講過(guò)了,謝謝,我臺(tái)灣來(lái)的

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林建良
LV.7
18
2010-08-09 20:00
@半導(dǎo)狂人
     這也是廣告帖,為什么不刪!

只刪不切主題的跟帖廣告, LD & WD我都沒刪,你要我刪什麼?你的攻擊人身文嗎?

wangruifei123請(qǐng)注意用詞,至少狂人寫的是疑問(wèn)句不是罵人

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林建良
LV.7
19
2010-08-09 20:23

 

輸入48V至500Vac,因?yàn)闊o(wú)電解電容,且啟動(dòng)被ZD1限20V,待輔助繞組打出30V後完成

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fan0757
LV.4
20
2010-12-28 09:00
@林建良
[圖片] 輸入48V至500Vac,因?yàn)闊o(wú)電解電容,且啟動(dòng)被ZD1限20V,待輔助繞組打出30V後完成
有沒有詳細(xì)的資料,請(qǐng)發(fā)到我的郵箱,fan0757@163.com.先謝了!
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