在做開關(guān)電源時，共模電感一般式必須的，可共模電感的電感量如何計算呢？？很困惑！每次問別人，別人就說那跟后續(xù)電路有關(guān)!說了當沒說，我還知道跟后續(xù)電路有關(guān)呢！還有人直接給了我?guī)追N共模電感讓我去試，暈死了！大家覺得這個共模電感該如何選擇呢？？
共模電感選擇
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以未加XCAP時150KHz位置為2倍工作頻率時,約有110dB情況,
FCC Class B limits為65dB QP & 55dB AV取衰減50dB (110-60),
則F應(yīng)取150KHz的1/50, F=3KHz=1/(2π√LC),
當L=30mH則C> 0.1uFfor FCC class B, we choose UU9.8 for economic but need 10000u type (Nicera NC-10H, AL=1400[nH/N2]),
so the 150Ts get the 31.5mH for 150KHz ~ 450KHz when PWM have Jittering.
The L1 Power dissipation at AC90V full load?
Check table the 0.21mm wire have 0.55 ohm for 1M,
that L1 is 150Ts each sideTotal length about 9M,
so the resistance is 4.95 ohmThe Power dissipation is I^2 R = 0.39W
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@林建良
以未加XCAP時150KHz位置為2倍工作頻率時,約有110dB情況,FCCClassBlimits為65dBQP&55dBAV取衰減50dB(110-60),則F應(yīng)取150KHz的1/50,F=3KHz=1/(2π√LC),當L=30mH則C>0.1uFforFCCclassB,wechooseUU9.8foreconomicbutneed10000utype(NiceraNC-10H,AL=1400[nH/N2]),sothe150Tsgetthe31.5mHfor150KHz~450KHzwhenPWMhaveJittering. TheL1PowerdissipationatAC90Vfullload?Checktablethe0.21mmwirehave0.55ohmfor1M,thatL1is150TseachsideTotallengthabout9M,sotheresistanceis4.95ohmThePowerdissipationisI^2R=0.39W
佩服！
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@林建良
以未加XCAP時150KHz位置為2倍工作頻率時,約有110dB情況,FCCClassBlimits為65dBQP&55dBAV取衰減50dB(110-60),則F應(yīng)取150KHz的1/50,F=3KHz=1/(2π√LC),當L=30mH則C>0.1uFforFCCclassB,wechooseUU9.8foreconomicbutneed10000utype(NiceraNC-10H,AL=1400[nH/N2]),sothe150Tsgetthe31.5mHfor150KHz~450KHzwhenPWMhaveJittering. TheL1PowerdissipationatAC90Vfullload?Checktablethe0.21mmwirehave0.55ohmfor1M,thatL1is150TseachsideTotallengthabout9M,sotheresistanceis4.95ohmThePowerdissipationisI^2R=0.39W
那全頻段 怎么顧全？？？
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@zhuguangchuan
那全頻段 怎么顧全？？？
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,
但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.
至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/ Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模 4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來, Readiation也更好,此區(qū)段常因Snubber Diode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
頂
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
好帖?。。。。?！
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
好貼啊...學習后發(fā)揚光大...嘿嘿
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
贊成！寄生電容使得共模電感的濾波作用大大折扣，尤其是在高頻下
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@林建良
以未加XCAP時150KHz位置為2倍工作頻率時,約有110dB情況,FCCClassBlimits為65dBQP&55dBAV取衰減50dB(110-60),則F應(yīng)取150KHz的1/50,F=3KHz=1/(2π√LC),當L=30mH則C>0.1uFforFCCclassB,wechooseUU9.8foreconomicbutneed10000utype(NiceraNC-10H,AL=1400[nH/N2]),sothe150Tsgetthe31.5mHfor150KHz~450KHzwhenPWMhaveJittering. TheL1PowerdissipationatAC90Vfullload?Checktablethe0.21mmwirehave0.55ohmfor1M,thatL1is150TseachsideTotallengthabout9M,sotheresistanceis4.95ohmThePowerdissipationisI^2R=0.39W
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
分槽式和十字繞法 具體是怎么饒的??？
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
十字繞法 是不是對環(huán)的饒法啊？分槽式 是不是對骨架的濾波器??？
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@林建良
以未加XCAP時150KHz位置為2倍工作頻率時,約有110dB情況,FCCClassBlimits為65dBQP&55dBAV取衰減50dB(110-60),則F應(yīng)取150KHz的1/50,F=3KHz=1/(2π√LC),當L=30mH則C>0.1uFforFCCclassB,wechooseUU9.8foreconomicbutneed10000utype(NiceraNC-10H,AL=1400[nH/N2]),sothe150Tsgetthe31.5mHfor150KHz~450KHzwhenPWMhaveJittering. TheL1PowerdissipationatAC90Vfullload?Checktablethe0.21mmwirehave0.55ohmfor1M,thatL1is150TseachsideTotallengthabout9M,sotheresistanceis4.95ohmThePowerdissipationisI^2R=0.39W
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
我做一個32W的電源，大概要取多少感量呢？
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
額，不錯啊…
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
林工 0
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
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@林建良
以未加XCAP時150KHz位置為2倍工作頻率時,約有110dB情況,FCCClassBlimits為65dBQP&55dBAV取衰減50dB(110-60),則F應(yīng)取150KHz的1/50,F=3KHz=1/(2π√LC),當L=30mH則C>0.1uFforFCCclassB,wechooseUU9.8foreconomicbutneed10000utype(NiceraNC-10H,AL=1400[nH/N2]),sothe150Tsgetthe31.5mHfor150KHz~450KHzwhenPWMhaveJittering. TheL1PowerdissipationatAC90Vfullload?Checktablethe0.21mmwirehave0.55ohmfor1M,thatL1is150TseachsideTotallengthabout9M,sotheresistanceis4.95ohmThePowerdissipationisI^2R=0.39W
看到林工如此講解，同時還是全英，學習啦。
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
有道理
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
那diode的速度多少才合適
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
厲害···頂
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@林建良
共模電感無法顧全部,感量處理150KHz~450KHz而已,但繞法可以稍做技巧,如分槽式或是十字繞法,這是讓Noise由BRIDGE側(cè)不要直接就飛到輸入端,減少線間雜散容量,可以降至450KHz~5MHz之間的Noise,當然Y-CAP也負責這區(qū)塊.至於5MHz以上頻率太高,處理地線走勢是最經(jīng)濟的,否則只有SNUBBER/Gate電阻才有影響到Ring的諧波(5MHz~30MHz),再不行輸出串共模4~10Ts硬將3MHz以下砍-2斜率下來,Readiation也更好,此區(qū)段常因SnubberDiode與Vcc的Diode材質(zhì)有關(guān),別放太快速,當然太慢要考慮Diode熱的問題
佩服，你是我的目標
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