DS1245Y,DS1245AB,DS1245W 描述
該ds1245 1024k非易失性SRAM的are1 ,048576位，完全靜態(tài)的，非揮發(fā)性SRAM的有組織的作為
131072換言之，由8位。每個(gè)完整NV公司的SRAM有一個(gè)自我包含的鋰能源的來(lái)源和
控制電路不斷監(jiān)測(cè)vcc為一個(gè)徹頭徹尾的耐受性條件。當(dāng)這樣的條件
發(fā)生，鋰的能源來(lái)源是自動(dòng)切換，并寫(xiě)保護(hù)是無(wú)條件
啟用，以防止數(shù)據(jù)損壞。提拉包ds1245的器件可用于在的地方，現(xiàn)有的128 K x
8靜態(tài)公羊直接順應(yīng)民意bytewide 32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 ds1245裝置，在
powercap模組封裝直接安裝在表面上和通常搭配一ds9034pc
powercap形成一個(gè)完整的非易失性的SRAM模塊。是沒(méi)有限制的人數(shù)收件
周期可以執(zhí)行，并沒(méi)有額外的支持電路所需的微處理器接口。
 
讀方式
該ds1245執(zhí)行一個(gè)讀周期，每當(dāng)我們（寫(xiě)啟用）是無(wú)效的（高）和CE （芯片使能）
和oe （輸出使能）活躍（低） 。獨(dú)特的指定的地址由17地址輸入（的A0 -
答16 ）的定義，其中的131072字節(jié)的數(shù)據(jù)是訪問(wèn)。有效的數(shù)據(jù)將提供給8
數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部tacc （存取時(shí)間）后，去年地址輸入信號(hào)是穩(wěn)定的，規(guī)定
行政長(zhǎng)官和oe （輸出使能）的存取時(shí)間也感到滿意。如果OE和行政長(zhǎng)官的存取時(shí)間要求得不到滿足，
然后數(shù)據(jù)訪問(wèn)必須加以衡量，從后來(lái)發(fā)生的信號(hào)（ CE或光電）和限制參數(shù)
或者是TCO為行政長(zhǎng)官或足趾為光電，而非地址訪問(wèn)。
 
寫(xiě)模式
該ds1245執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)周期時(shí)，我們和CE信號(hào)是積極的（低）后，地址
投入的穩(wěn)定。后來(lái)發(fā)生的下降沿行政長(zhǎng)官或我們將決定開(kāi)始的寫(xiě)周期。
該寫(xiě)周期終止先前的上升沿行政長(zhǎng)官或我們。所有地址輸入必須保持
有效的整個(gè)寫(xiě)周期。我們必須返回到高的國(guó)家為最低恢復(fù)時(shí)間（ twr ）
之前，另一個(gè)周期可以啟動(dòng)。該光電控制信號(hào)應(yīng)保持無(wú)效（高）在收件
周期，以避免巴士爭(zhēng)議的焦點(diǎn)。不過(guò)，如果輸出驅(qū)動(dòng)器啟用（行政長(zhǎng)官和oe積極）的話，我們
將禁用的產(chǎn)出todw從下降沿。
 
數(shù)據(jù)保存模式
該ds1245ab提供完整的功能的能力vcc大于4.75伏特，和寫(xiě)保護(hù)，由
4.5伏特。該ds1245y提供完整的功能的能力vcc大于4.5伏特和注銷(xiāo)
保護(hù)由4.25伏特。數(shù)據(jù)是保持在缺乏vcc沒(méi)有任何額外的支持電路。
這種非易失靜態(tài)公羊，不斷監(jiān)察vcc 。應(yīng)電力供應(yīng)的電壓衰減， NV公司SRAM的
自動(dòng)寫(xiě)保護(hù)自己，所有的投入，成為“不關(guān)心” ，和所有產(chǎn)出成為高
阻抗。作為vcc低于大約3.0伏特的電壓，電源開(kāi)關(guān)電路連接鋰
能源來(lái)源的RAM保存數(shù)據(jù)。期間，電，當(dāng)vcc上升到高于大約3.0伏特，
電源開(kāi)關(guān)電路連接外部vcc到RAM和斷開(kāi)鋰能源的來(lái)源。
RAM的正常運(yùn)作，就可以恢復(fù)后， vcc超過(guò)4.75伏特，為ds1245ab和4.5伏特的電壓為
ds1245y 。
 
保鮮密封
每個(gè)ds1245裝置是發(fā)運(yùn)由Dallas半導(dǎo)體與它的鋰能源的來(lái)源中斷，
保證充分的能源的能力。當(dāng)vcc是首次應(yīng)用在一定的水平上大于4.25伏特的電壓，鋰
能源來(lái)源是使電池回的后續(xù)行動(dòng)。

 

DS1245Y,DS1245AB,DS1245W 引腳圖