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關(guān)于LLC電感之電壓尖峰過高的解決方法---請(qǐng)教

在LLC設(shè)計(jì)過程中，我將開關(guān)頻率設(shè)計(jì)在諧振頻率以下，這樣在上下管一起關(guān)斷期間LLC回路出現(xiàn)了比較大的的DI/DT（看是給M OS結(jié)電容充電所致)，導(dǎo)致電感上的電壓突變到600V左右（電壓尖峰）。長(zhǎng)期工作，諧振電感的溫度過高，導(dǎo)致絕緣層融化，出現(xiàn)了電感高壓打火，然后就短路了，

將LLC設(shè)計(jì)在FR=FS時(shí)此現(xiàn)象就好了，但是會(huì)引起增益不夠。

 

如有遇到此問題的朋友希望能一起探討一下，希望高手們留下聯(lián)系方式，我會(huì)一一請(qǐng)教。

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2010-08-14 09:08

把你LLC的電路參數(shù)發(fā)上來啊。懷疑你都進(jìn)入容性區(qū)了

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hong_chen
LV.4
3
2010-08-14 22:00
@fly
把你LLC的電路參數(shù)發(fā)上來啊。懷疑你都進(jìn)入容性區(qū)了
沒進(jìn)入容性區(qū)， 以下是波形， 
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hong_chen
LV.4
4
2010-08-14 22:06
@hong_chen
沒進(jìn)入容性區(qū)， 以下是波形，[圖片] 
 
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hong_chen
LV.4
5
2010-08-14 22:11
@hong_chen
[圖片] 
 
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hong_chen
LV.4
6
2010-08-15 08:01
@hong_chen
[圖片] 
高手們，回個(gè)貼啊
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2010-08-15 09:08
@hong_chen
[圖片] 
從這個(gè)波形上看，好像是你的激磁電感的感量不夠，其存儲(chǔ)的能量在死區(qū)時(shí)間內(nèi)急劇減小引起的。
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2010-08-15 10:26
@hong_chen
沒進(jìn)入容性區(qū)， 以下是波形，[圖片] 
已經(jīng)進(jìn)入DCM工作區(qū)，因?yàn)榫G色電流曲線已經(jīng)有平臺(tái)。請(qǐng)問你的線路有SR功能嗎?
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2010-08-15 10:28
想要FR=FS先考量你的圈比問題，要讓圈比增益先<1才能確保FS>FR。
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hong_chen
LV.4
10
2010-08-15 21:37
@peterchen0721
想要FR=FS先考量你的圈比問題，要讓圈比增益先FR。

我的線路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率會(huì)好點(diǎn)，但是需提高增益。

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hong_chen
LV.4
11
2010-08-15 21:47
@hong_chen
我的線路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率會(huì)好點(diǎn)，但是需提高增益。

對(duì)于FLY的回答，我也覺得有可能，但是我增大主變壓器感量一倍此現(xiàn)象依然存在，倒是調(diào)整FR或FS效果還好點(diǎn)，特別是當(dāng)FR=FS時(shí)此現(xiàn)象就消失了，如果是勵(lì)磁能量過小，那當(dāng)FR=FS時(shí)為什么就好了呢。

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呆頭鵝
LV.7
12
2010-08-15 22:32
@hong_chen
對(duì)于FLY的回答，我也覺得有可能，但是我增大主變壓器感量一倍此現(xiàn)象依然存在，倒是調(diào)整FR或FS效果還好點(diǎn)，特別是當(dāng)FR=FS時(shí)此現(xiàn)象就消失了，如果是勵(lì)磁能量過小，那當(dāng)FR=FS時(shí)為什么就好了呢。

給出原理圖和時(shí)序，包括SR驅(qū)動(dòng)，懷疑和SR驅(qū)動(dòng)時(shí)序不當(dāng)有關(guān)

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2010-08-16 09:13
@hong_chen
我的線路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率會(huì)好點(diǎn)，但是需提高增益。
問題出在SR時(shí)間太長(zhǎng)沒有隨線路進(jìn)入DCM而縮減SR ON時(shí)間，請(qǐng)問主控制IC為何？SR是外兜的線路還是與主控IC一起？
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2010-08-16 09:20
@hong_chen
我的線路有SR。2次是DCM，工作在CCM，效率會(huì)好點(diǎn)，但是需提高增益。
增益的提高是要克服HOLD TIME對(duì)吧，那就改變Lm/Lr比值就可以辦到。但是先決條件還是要先確定n匝比，因?yàn)楦骺豂C設(shè)定的頻率範(fàn)圍有關(guān)，還有相位補(bǔ)償也有影響，這些因素會(huì)讓一次側(cè)(原邊)電流波看起來歪斜。以上提供參考。
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hong_chen
LV.4
15
2010-08-17 07:11
@peterchen0721
增益的提高是要克服HOLDTIME對(duì)吧，那就改變Lm/Lr比值就可以辦到。但是先決條件還是要先確定n匝比，因?yàn)楦骺豂C設(shè)定的頻率範(fàn)圍有關(guān)，還有相位補(bǔ)償也有影響，這些因素會(huì)讓一次側(cè)(原邊)電流波看起來歪斜。以上提供參考。
sr用的是IR168是監(jiān)測(cè)電流過0開通關(guān)斷的，所以是DCM的，不會(huì)存在SR時(shí)間按過長(zhǎng)的可能，peter能否告訴我你的MAIL，我給你發(fā)線路和相關(guān)測(cè)試波形，
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2011-01-04 10:56

關(guān)注中

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2011-01-10 16:48
你是陳春宏？
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hong_chen
LV.4
18
2011-02-20 12:37
@dreamer662006
你是陳春宏？
是啊，怎么？
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fushichun
LV.4
19
2011-04-18 22:54
@hong_chen
是啊，怎么？
兄弟，調(diào)好了嗎？我現(xiàn)在的電路和你的工作波形太像了，不知道要怎么調(diào)了。
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yixiu8210
LV.1
20
2013-08-07 14:43
@fushichun
兄弟，調(diào)好了嗎？我現(xiàn)在的電路和你的工作波形太像了，不知道要怎么調(diào)了。

幾年前的帖子了，不知道LZ最后怎樣把問題解決了？我現(xiàn)在遇到的問題跟LZ的一樣，目前正在向LLC變壓器和外置電感的寄生參數(shù)研究，看看能否解決問題。

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hong_chen
LV.4
21
2013-08-30 09:27
@yixiu8210
幾年前的帖子了，不知道LZ最后怎樣把問題解決了？我現(xiàn)在遇到的問題跟LZ的一樣，目前正在向LLC變壓器和外置電感的寄生參數(shù)研究，看看能否解決問題。

呵呵。1.可以適當(dāng)增加勵(lì)磁電感，使死區(qū)是時(shí)間的勵(lì)磁電流充電速度放慢，這樣可以降低電感上電壓的突變。 但是此處要注意實(shí)現(xiàn)ZVS的條件，即在TDEAD時(shí)間內(nèi)要完成2個(gè)MOS DS電容的充放電。 

2.被動(dòng)一點(diǎn)的方式。可以在電感的繞線過程中避開電感氣息處，避開3倍氣息的位置，以此避免變化的磁場(chǎng)在繞線上產(chǎn)生的渦流損耗。

 

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