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關(guān)于反接保護(hù)的一個(gè)思考

   

上圖是一個(gè)防反接電路,當(dāng)電容C的容量比較大時(shí),EF加上電壓瞬間,電流會(huì)通過(guò)Mos管的反向二極管給電容充電,我想問(wèn)下,會(huì)不會(huì)

因?yàn)殡娏鬟^(guò)大把mos管燒掉?請(qǐng)個(gè)位大俠指點(diǎn)一二。

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jacob0110
LV.5
2
2010-08-18 10:34
你這個(gè)圖有問(wèn)題吧?
0
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2010-08-18 15:37
@jacob0110
你這個(gè)圖有問(wèn)題吧?
有什么不妥之處請(qǐng)指點(diǎn)一二。
0
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jacob0110
LV.5
4
2010-08-18 21:17
@永不止步
有什么不妥之處請(qǐng)指點(diǎn)一二。

對(duì)不起,我看錯(cuò)了

正接時(shí),MOSFET會(huì)導(dǎo)通,所以那個(gè)二極管不會(huì)燒壞。

反接時(shí),都不通。

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2010-08-18 22:15
@jacob0110
對(duì)不起,我看錯(cuò)了正接時(shí),MOSFET會(huì)導(dǎo)通,所以那個(gè)二極管不會(huì)燒壞。反接時(shí),都不通。

當(dāng)上電的瞬間(比如加30v),電容C上的電壓為0,以F為絕對(duì)地分析,那么Mos管的S極電壓為30v,那么Mos不導(dǎo)通,這時(shí)電流主要流過(guò)反向二極管(擔(dān)心此時(shí)會(huì)沖掉反向二極管),只有當(dāng)經(jīng)過(guò)時(shí)間T后Mos管的S極點(diǎn)位下降到剛好Mos導(dǎo)通的電位時(shí),電流才會(huì)流過(guò)Mos管而不流過(guò)反向二極管(中間態(tài)暫且不考慮)。

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jacob0110
LV.5
6
2010-08-19 21:04
@永不止步
當(dāng)上電的瞬間(比如加30v),電容C上的電壓為0,以F為絕對(duì)地分析,那么Mos管的S極電壓為30v,那么Mos不導(dǎo)通,這時(shí)電流主要流過(guò)反向二極管(擔(dān)心此時(shí)會(huì)沖掉反向二極管),只有當(dāng)經(jīng)過(guò)時(shí)間T后Mos管的S極點(diǎn)位下降到剛好Mos導(dǎo)通的電位時(shí),電流才會(huì)流過(guò)Mos管而不流過(guò)反向二極管(中間態(tài)暫且不考慮)。

這時(shí)的電流也不會(huì)大吧?

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2010-08-19 21:14
@jacob0110
這時(shí)的電流也不會(huì)大吧?

電容電壓為零,內(nèi)阻相當(dāng)于為0,平時(shí)我們把大電容接到蓄電池上的時(shí)候,火花很大的,瞬間能有一百多安吧。

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2011-11-09 08:44
MOS的寄生二極管電流容量也好大的,要是還不放心的話自己再外接一個(gè)肖特基二極管就好了。
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