SPWM純正弦逆變器常用的結構:
1.。一種是直流12V~48V經PWM控制芯片調制到幾百KHz高頻信號去推動高頻變壓器產生350V~400V高壓后,在SPWM控制芯片去推動全橋電路,然后經電感L和電容C濾去調制的高頻分量剩下低頻50HZ/60HZ的220V正弦輸出。此結構由兩級結構完成,一般需要2個低電壓大電流功率MOS管和4個高電壓中小電流功率MOS管,一共需要6個功率MOS管。
2。另一種是直流12V~48V電源,直接經SPWM控制芯片調制載波去推動高頻變壓器,由高頻變壓器電感和外接電容濾出220V正弦輸出。 此結構比較簡單只要一級結構能完成,功率MOS管也只需2個或4個管
請各位分享一下你們的經驗,探討一下這兩種結構的優(yōu)缺點。