大家來討論用數(shù)字電路控制互補(bǔ)死區(qū)_有圖

死區(qū)電路原理

H橋電路當(dāng)中一側(cè)高低MOS管 高端在導(dǎo)通最后時(shí)刻與低端變高時(shí)產(chǎn)生重疊就叫死區(qū)時(shí)間
當(dāng)電路當(dāng)中元件參數(shù)不同 MOS管門極受到外界干擾在高低交替時(shí)刻兩個(gè)功率管會(huì)發(fā)生短暫同時(shí)導(dǎo)通這種情況

是因?yàn)樵陔娐分袃山M波形通過后續(xù)電路不可避免會(huì)受到不同時(shí)間長短延時(shí)或輸出負(fù)載影響是高低MOS同時(shí)導(dǎo)通
這樣會(huì)在供電HV產(chǎn)生很大的穿刺電流不僅增大功耗，而且容易損壞器件解決辦法是，向?qū)ǖ腗OS發(fā)觸脈沖結(jié)束時(shí)刻至少比
向與關(guān)斷的MOS發(fā)觸發(fā)脈沖延時(shí)一段時(shí)間，實(shí)現(xiàn)高低MOS器件接通和關(guān)斷序列協(xié)調(diào)