CISS=Cgs+Cgd

指的是mosfet的輸入電容。

Qg只是在一個柵電容的充電電荷。關(guān)系的是一個MOSFET的充電損耗。

理論上來說，兩者是越小越好啊。

Qg是一個mos管從關(guān)斷狀態(tài)到飽和導(dǎo)通狀態(tài)，

驅(qū)動電路需要向G注入的電荷總數(shù)~

見下圖，

QG是MOSFET的柵極的電容一部分，實際上的QG=QGS+QGD+QOD,其中QOD是miller電容充滿后的過充電荷。

Qod是Qgs和Qgd的一部分吧.驅(qū)動電壓過了miller點后,Vgs繼續(xù)升高,這個時候仍然對Cgs和Cgd充電的啊,所以Qod并不能獨立出來.

Qg=Qgs+Qgd

Qg=Ciss*Vgs

 

剛剛我仔細(xì)看看了看啟動模型:我昨天回復(fù)的關(guān)系式不正確.

liuhou大大說的對.

Qod是單獨存在的,Qod=Vds*Cds

Qg=Qgs+Qgd+Qod

Qg=Ciss*Vgs+Vds*Cds