對一般的二極管，從數(shù)據(jù)手冊上看，同樣系列，耐流一樣，耐壓越大，反向恢復時間越長，也即結(jié)電容越大，按我理解，耐壓越大，晶體的耗盡層就越寬，那么結(jié)電容應該越小的，此不解？還有，對于耐流一樣耐壓不同的二極管，外觀封裝大小是一樣的，不知里面的晶體尺寸是否不同，同樣的耐硫，不同耐壓是通過怎樣實現(xiàn)的？
對于MOS管，耐壓與結(jié)電容具有什么關系，例如用同樣工藝做的 7安650伏 和 7安800伏，哪個結(jié)電容更大。由于找不到滿足這兩個規(guī)格的數(shù)據(jù)手冊對比，所以只能問內(nèi)行了，望了解的告知一二。
回樓上，F(xiàn)R103 FR104 電流一樣的情況下，耐壓大電容就小 跟MOS 管一樣的 。電壓跟晶體擴散深度有關，電流跟面積有光，電壓越高的擴散深度越深導致P/N 結(jié)變窄 相對應的結(jié)電容會變小，相反電壓低P/N結(jié)寬，結(jié)電容就大。
本來我是這樣理解的，對于普通二極管，耐流一樣，耐壓越高，結(jié)電容越小，對FR二極管，數(shù)據(jù)手冊上標明，耐壓越高，Trr就越大，結(jié)電容沒標，所以揣測結(jié)電容就越大?？戳四愕幕貜秃笪以倏炊嗔藥追軫R二極管的數(shù)據(jù)手冊，發(fā)現(xiàn)百度文庫里面有一份關于FR二極管的數(shù)據(jù)手冊http://wenku.baidu.com/view/f547e838376baf1ffc4fad8e.html
里面有說明結(jié)電容的，耐壓越大，結(jié)電容越小，但Trr越大，這更加不解了？為什么結(jié)電容越小，Trr就越大呢？
通常耐流越大晶體的結(jié)面積就越大，從外觀封裝也可以看到耐流越大的封裝就越大，但耐壓越大，晶體是否就越長，還是同樣長度而只是參雜的濃度不同？
對于MOS管，結(jié)電容與Id、Rds和Vds都有關，Id一樣，Vds大的，結(jié)電容小，我也是這樣理解的，但沒辦法找到兩個同一廠家同一系列同種工藝 Id一樣，而Vds不同的MOS管來對比一下其結(jié)電容，所以不敢妄自定論，還希冀行家指點迷津。
