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半導(dǎo)體結(jié)電容問題

對一般的二極管,從數(shù)據(jù)手冊上看,同樣系列,耐流一樣,耐壓越大,反向恢復(fù)時(shí)間越長,也即結(jié)電容越大,按我理解,耐壓越大,晶體的耗盡層就越寬,那么結(jié)電容應(yīng)該越小的,此不解?還有,對于耐流一樣耐壓不同的二極管,外觀封裝大小是一樣的,不知里面的晶體尺寸是否不同,同樣的耐硫,不同耐壓是通過怎樣實(shí)現(xiàn)的?


對于MOS管,耐壓與結(jié)電容具有什么關(guān)系,例如用同樣工藝做的  7安650伏 和 7安800伏,哪個結(jié)電容更大。由于找不到滿足這兩個規(guī)格的數(shù)據(jù)手冊對比,所以只能問內(nèi)行了,望了解的告知一二。

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hk2007
LV.8
2
2010-10-15 12:05

如圖,對與MOS 好像是反壓越高,結(jié)電容越小呵.咱也是外行人啊…… 

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w5244338
LV.9
3
2010-10-15 14:09
@hk2007
如圖,對與MOS好像是反壓越高,結(jié)電容越小呵.咱也是外行人啊……[圖片] 
關(guān)注中!!
0
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bode
LV.9
4
2010-10-15 15:01
@hk2007
如圖,對與MOS好像是反壓越高,結(jié)電容越小呵.咱也是外行人啊……[圖片] 

好像是這樣的~

至于物理結(jié)構(gòu)上的解釋,還得水蜘蛛大師來親自操刀不可~

0
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flgd
LV.2
5
2010-10-16 01:20
@hk2007
如圖,對與MOS好像是反壓越高,結(jié)電容越小呵.咱也是外行人啊……[圖片] 

此圖反映的是同一MOS不同Vds的結(jié)電容,同一MOS,Vds越大,勢壘電容是越小的,從而結(jié)電容越??;

而我不解的是:

同一工藝同樣耐流不同耐壓的MOS,哪個結(jié)電容更大?

普通二極管或快管(FR103、FR104......),耐流一樣,耐壓越大,結(jié)電容是越大的,這是什么原因?

同樣工藝同樣耐流的MOS,耐壓不同是怎樣實(shí)現(xiàn)的?

 

 

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panjit
LV.4
6
2010-10-16 09:10
@flgd
此圖反映的是同一MOS不同Vds的結(jié)電容,同一MOS,Vds越大,勢壘電容是越小的,從而結(jié)電容越??;而我不解的是:同一工藝同樣耐流不同耐壓的MOS,哪個結(jié)電容更大?普通二極管或快管(FR103、FR104......),耐流一樣,耐壓越大,結(jié)電容是越大的,這是什么原因?同樣工藝同樣耐流的MOS,耐壓不同是怎樣實(shí)現(xiàn)的?  

 

回樓上,F(xiàn)R103 FR104 電流一樣的情況下,耐壓大電容就小 跟MOS 管一樣的 。電壓跟晶體擴(kuò)散深度有關(guān),電流跟面積有光,電壓越高的擴(kuò)散深度越深導(dǎo)致P/N 結(jié)變窄 相對應(yīng)的結(jié)電容會變小,相反電壓低P/N結(jié)寬,結(jié)電容就大。

 

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flgd
LV.2
7
2010-10-16 20:48
@panjit
 回樓上,F(xiàn)R103FR104電流一樣的情況下,耐壓大電容就小跟MOS管一樣的。電壓跟晶體擴(kuò)散深度有關(guān),電流跟面積有光,電壓越高的擴(kuò)散深度越深導(dǎo)致P/N結(jié)變窄相對應(yīng)的結(jié)電容會變小,相反電壓低P/N結(jié)寬,結(jié)電容就大。 

本來我是這樣理解的,對于普通二極管,耐流一樣,耐壓越高,結(jié)電容越小,對FR二極管,數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明,耐壓越高,Trr就越大,結(jié)電容沒標(biāo),所以揣測結(jié)電容就越大??戳四愕幕貜?fù)后我再看多了幾份FR二極管的數(shù)據(jù)手冊,發(fā)現(xiàn)百度文庫里面有一份關(guān)于FR二極管的數(shù)據(jù)手冊http://wenku.baidu.com/view/f547e838376baf1ffc4fad8e.html

里面有說明結(jié)電容的,耐壓越大,結(jié)電容越小,但Trr越大,這更加不解了?為什么結(jié)電容越小,Trr就越大呢?

通常耐流越大晶體的結(jié)面積就越大,從外觀封裝也可以看到耐流越大的封裝就越大,但耐壓越大,晶體是否就越長,還是同樣長度而只是參雜的濃度不同?

對于MOS管,結(jié)電容與Id、Rds和Vds都有關(guān),Id一樣,Vds大的,結(jié)電容小,我也是這樣理解的,但沒辦法找到兩個同一廠家同一系列同種工藝 Id一樣,而Vds不同的MOS管來對比一下其結(jié)電容,所以不敢妄自定論,還希冀行家指點(diǎn)迷津。

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