轉(zhuǎn)的，希望對(duì)你有用。

通過對(duì)不同氧化層厚度的 N- MOSFET在各種條件下加速壽命實(shí)驗(yàn)的研究 ,發(fā)現(xiàn)柵電壓漂移符合 Weibull分布 . Weibull分布統(tǒng)計(jì)分析表明 ,5 .0、 7.0和 9.0 nm器件在 2 7和 10 5℃下本征失效的形狀因子相同 ,即本征失效的失效機(jī)制在高低溫度下相同 .非本征失效的比例隨溫度升高而增大 .在此基礎(chǔ)上得出平均壽命 (t50 )與加速電場E成指數(shù)關(guān)系 ,進(jìn)而提出了器件的壽命預(yù)測方法 .此方法可預(yù)測超薄柵 N- MOSFET在 FN應(yīng)力下的壽命

這個(gè)難說，只有根據(jù)經(jīng)驗(yàn)才能得出結(jié)論。參考下我的帖子吧http://bbs.dianyuan.com/topic/606968

多謝二位！還是不知道壽命。我覺得知道這個(gè)壽命很重要，在設(shè)計(jì)時(shí)，控制好最高結(jié)溫，才能預(yù)期相應(yīng)的壽命，否則就是一筆糊涂賬。

說道壽命，一般具體指一個(gè)產(chǎn)品的壽命，譬如電源。半導(dǎo)體元件很少有談到壽命的，你看IC、MOS等的規(guī)格書中，也是沒有列出壽命的。我想是這樣的，一個(gè)產(chǎn)品的壽命是按他里面最容易損壞的元件的壽命來計(jì)算的。譬如電源里面，相對(duì)來講，其壽命都是按電解電容的壽命來計(jì)算的。因?yàn)殡娊獾膲勖亲疃痰?。稱之為短板原理。涉及到半導(dǎo)體元件，只有在計(jì)算MTBF時(shí)會(huì)用到它的損壞率。

我在設(shè)計(jì)一款大電流的線性電源，MOSFET的工作結(jié)溫會(huì)比開關(guān)狀態(tài)高得多，所以希望知道高結(jié)溫時(shí)MOSFET的壽命。比如LINEAR產(chǎn)品里，就給提供可靠性數(shù)據(jù)，如附件r384 ，說的很詳細(xì)，但是相對(duì)分立器件，我想這樣的數(shù)據(jù)也會(huì)有，只是我還沒有找到而已。

哈哈，我自己終于搜到了。IR的an-976里有詳盡的描述。

哦，那就麻煩樓主貼出來共享下。

IR 的an-976 ，IXYS的04－05的可靠性數(shù)據(jù)IXDN0007 分享給大家。

謝了，樓上的真熱心。

謝謝分享！