轉的，希望對你有用。

通過對不同氧化層厚度的 N- MOSFET在各種條件下加速壽命實驗的研究 ,發(fā)現(xiàn)柵電壓漂移符合 Weibull分布 . Weibull分布統(tǒng)計分析表明 ,5 .0、 7.0和 9.0 nm器件在 2 7和 10 5℃下本征失效的形狀因子相同 ,即本征失效的失效機制在高低溫度下相同 .非本征失效的比例隨溫度升高而增大 .在此基礎上得出平均壽命 (t50 )與加速電場E成指數(shù)關系 ,進而提出了器件的壽命預測方法 .此方法可預測超薄柵 N- MOSFET在 FN應力下的壽命

這個難說，只有根據(jù)經(jīng)驗才能得出結論。參考下我的帖子吧http://bbs.dianyuan.com/topic/606968

多謝二位！還是不知道壽命。我覺得知道這個壽命很重要，在設計時，控制好最高結溫，才能預期相應的壽命，否則就是一筆糊涂賬。

說道壽命，一般具體指一個產(chǎn)品的壽命，譬如電源。半導體元件很少有談到壽命的，你看IC、MOS等的規(guī)格書中，也是沒有列出壽命的。我想是這樣的，一個產(chǎn)品的壽命是按他里面最容易損壞的元件的壽命來計算的。譬如電源里面，相對來講，其壽命都是按電解電容的壽命來計算的。因為電解的壽命是最短的。稱之為短板原理。涉及到半導體元件，只有在計算MTBF時會用到它的損壞率。

我在設計一款大電流的線性電源，MOSFET的工作結溫會比開關狀態(tài)高得多，所以希望知道高結溫時MOSFET的壽命。比如LINEAR產(chǎn)品里，就給提供可靠性數(shù)據(jù)，如附件r384 ，說的很詳細，但是相對分立器件，我想這樣的數(shù)據(jù)也會有，只是我還沒有找到而已。

哈哈，我自己終于搜到了。IR的an-976里有詳盡的描述。

哦，那就麻煩樓主貼出來共享下。

IR 的an-976 ，IXYS的04－05的可靠性數(shù)據(jù)IXDN0007 分享給大家。

謝了，樓上的真熱心。

謝謝分享！