如何加負(fù)壓加速關(guān)斷
我用IR的驅(qū)動芯片來驅(qū)動IGBT，半橋F=80K,Td=2us沒什么問題，換成MOSFET如IRFP460后，明顯開關(guān)損耗增加，我知道MOSFET的體內(nèi)二極管特性不如IGBT的好，聽說加負(fù)壓關(guān)斷可以改善，請問負(fù)壓如何加？？我不需要用變壓器來驅(qū)動，就在現(xiàn)成的電路改下，或者有他什么好方法嗎？另外增加死區(qū)時間也許可以改善損耗的問題，可會增加輸出紋波，希望大家踴躍發(fā)言
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見附件，可以得到負(fù)壓，希望你成功。這套電路已經(jīng)得到很多產(chǎn)品的實踐，效果不錯。如果用到你的板子上可能具體的參數(shù)需要稍微調(diào)試一下。
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