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IC針對(duì)MOSFET的電流感應(yīng)波形做了LEB，但這尖波形成原因??

請(qǐng)教各位有經(jīng)驗(yàn)的大師


我看了看波形這股尖波電流應(yīng)該不是從MOSFET本體流入

那麼最有可能就是從極間電容這條路徑形成

所以才會(huì)反映在電阻身上

但我卻不知更深一層的原因或是動(dòng)作程序

麻煩有能力的大師幫我起個(gè)頭，好讓我繼續(xù)思考下去

謝謝

全部回復(fù)(3)
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2010-12-05 10:29
看了有點(diǎn)暈。。。上圖吧，然后說(shuō)明清楚問(wèn)題。
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hk2007
LV.8
3
2010-12-05 17:56
這個(gè)尖峰個(gè)人認(rèn)為是變壓器一次側(cè)寄生電容瞬間電壓的變化，而產(chǎn)生的尖峰電流。IC的LEB只是保證在LEB時(shí)間內(nèi)，不會(huì)因?yàn)槌霈F(xiàn)了大電流而動(dòng)作。假設(shè)這個(gè)大電流的持續(xù)時(shí)間超過(guò)了LEB時(shí)間，那么IC的OCP就動(dòng)作了。
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2010-12-06 23:21
@高等數(shù)學(xué)
看了有點(diǎn)暈。。。上圖吧，然后說(shuō)明清楚問(wèn)題。

圖如附件

另想請(qǐng)教因?yàn)槲覔QMOSFET(Ciss Coss Crss)都會(huì)改變?cè)摷獠〞r(shí)間的長(zhǎng)度以及高度

換輸出二極體也會(huì)(trr)

所以我推測(cè)該股電流當(dāng)時(shí)不是流過(guò)MOSFET的通道，應(yīng)該是流過(guò)極間電容??

無(wú)奈實(shí)力不夠無(wú)法進(jìn)行進(jìn)一步推測(cè)

另外想問(wèn)的是一般IC都有做LEB，那麼線路上的RC真正功能是??

我的理解是RC充電做延遲般的阻擋??

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