你這是隔離驅(qū)動嗎~

我遇到的問題比你呃還要嚴(yán)重哦

mos上的驅(qū)動電路你看看，是否接的合理，一般情況下是平的。

這是我的驅(qū)動原理圖，是否有問題？驅(qū)動變壓器是EE25的 ，匝數(shù)是24:24:24，頻率是65KHz 。是否可行。 

減小R55和R57試試。

你的驅(qū)動波形的頻率也是65KHZ的嗎？

R55,R57改到10歐，沒有什么效果

是的

我說四個問題。

1、你的前級圖騰柱用的是8550和8050，這是兩個1.5A的三極管。用三極管做圖騰柱本來就不好，導(dǎo)通時VCE會比較大。而且這個電流也太小了吧，分到次級的兩只MOS管，1A都沒有了，而你的MOS管好像也不是小管子，這樣MOS的驅(qū)動肯定上升得極慢，從你的波形上就是這樣。還有，圖騰柱輸出一般不直接推脈變，應(yīng)該在回路中串一個電阻并聯(lián)一個電容，電阻起保護(hù)作用，電容加速前沿。還有，你的圖騰柱供電最好在旁邊加個電解電容，因為在管子開啟瞬間電流會很大，同時對供電電源及圖騰柱也是一種保護(hù)。2、你的Q8也不能用8050，反應(yīng)不夠快。使用更快一點(diǎn)的三極管會對沿有一定好處的。

3、你的R57和R58最好選大點(diǎn)，取到47k，4.7太小了，增加了驅(qū)動所要的功率。這個電阻的作用是防止在DS間加電使管子誤導(dǎo)通的，有就可以了，一般取在47k。

4、感覺你的脈變匝數(shù)多了，多了也會造成驅(qū)動上升沿慢。65k的頻率，14匝應(yīng)該足夠了，這個可以試，同時磁芯一定不能加氣隙，裝得時候也要緊密貼合。

謝謝，我就是覺得驅(qū)動能力不夠，按你的方法改改再試

你的管子的柵荷系數(shù)Qg多大呢？

 

有什么建議嗎？

150nc的電荷要求，而你的驅(qū)動電流只有1.5A，太小了，起碼要3A以上。

GS并聯(lián)的電阻有點(diǎn)太小，這個電阻是用來保護(hù)MOS的，順便釋放Cgs電容的電荷，太小的話，對驅(qū)動功率要求就大了，換成10k以上的吧。

請問，怎么確定驅(qū)動電流需要多大呢？

基本是可以估算的~

柵極從關(guān)斷到飽和導(dǎo)通，需要吸取電荷，這個電荷就是柵荷系數(shù)。

Qg=I*t

t可以看成驅(qū)動的上升沿，驅(qū)動電流越小，上升沿越長。

65K 的頻率，上升沿要在多少時間才算合理呢？

我改成MOS管推動驅(qū)動變壓器。驅(qū)動變壓器輸出波形怎么會變成這樣呢？驅(qū)動變壓器匝數(shù)是 14:14:14

第二張圖確實(shí)是因為峰值電流的驅(qū)動能力不夠，導(dǎo)致刪極電容的充放電時間過長而造成的。

加大驅(qū)動電流會有明顯的改善。

但改用MOSFET推動驅(qū)動變壓器會出現(xiàn)第三張圖那樣的波形，而用三極管就不會。這點(diǎn)還是不解。

我的也是