PWM MOS Vd-s 超高
CH1 上面MOS D-GND電壓
CH2 下面MOS D-GND 電壓
采取過(guò)Rg電阻加大,MOS V d-s 超高也解決不了
實(shí)驗(yàn)修改C64/R83 與Q1/Q11 Rg 電阻為62ohm ,PWM MOS VDS 可以降低。
其中的改善原理還在揣摩中