D拿掉問題就大了,R的損耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.
加D 是在MOSFE關(guān)段時吸收掉變壓器原邊每轉(zhuǎn)換的能量-漏感.
開關(guān)管的吸收多用RCD來吸收。輸出二極管的多用RC吸收。
加上D后可以減少損耗,也就是只有在二極管D導(dǎo)通之后,才開始吸收。
RCD,如去掉D將增加開關(guān)管導(dǎo)通期間電流應(yīng)力
整流二極管并聯(lián)的RC主要對結(jié)電容與等效電感自激起阻尼作用
如果二極管結(jié)電容小,回復(fù)時間快也可以不加RC
不太理解您的這句話,能給我詳細(xì)解釋下嗎?感謝您!
您指的是增加RC放點回路的阻抗??可是放電的額時候D1(見上圖)應(yīng)該不導(dǎo)通吧
你講的RCD吸收我理解為反激模式.故有上面說法
同志你說的是 rCD吸收 呵呵, 我見過有地方加D有的地方?jīng)]有,具體那些作用我也沒了解過
你說的是理想情況,沒有考慮到漏感與電路分布參數(shù)的影響
你用示波器測試下MOSFET的波形就明白了
好版主說得太好了~
D在這里,起到一個單向?qū)щ姷淖饔脋
厲害厲害,佩服佩服。
總結(jié):單向?qū)ê蛽p耗不同。
fly-back with RCD snubber circuit, just have a look.
Design Guidelines for RCD Snubber