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RC吸收器和RCD吸收器的區(qū)別

RC吸收器和RCD吸收器的區(qū)別，我感覺RCD的D好像沒什么作用啊，還有就是整流二極管的吸收器和開關管的吸收器有什么區(qū)別嗎？謝謝！
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2010-12-18 14:23

D拿掉問題就大了,R的損耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.

加D 是在MOSFE關段時吸收掉變壓器原邊每轉(zhuǎn)換的能量-漏感.

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hk2007
LV.8
3
2010-12-18 14:24

開關管的吸收多用RCD來吸收。輸出二極管的多用RC吸收。

加上D后可以減少損耗，也就是只有在二極管D導通之后，才開始吸收。

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2010-12-18 14:33
@冰上鴨子
D拿掉問題就大了,R的損耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.加D是在MOSFE關段時吸收掉變壓器原邊每轉(zhuǎn)換的能量-漏感.
整流二極管的我不太清楚，就拿這個正激的開關管來說吧，這個D1在開關將要關斷的時候開始導通對C1進行充電，管子導通后，C1就通過R1放電。好像沒有D1什么事情啊，請指出我的錯誤之處，謝謝！
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engdong
LV.4
5
2010-12-18 14:38
@hk2007
開關管的吸收多用RCD來吸收。輸出二極管的多用RC吸收。加上D后可以減少損耗，也就是只有在二極管D導通之后，才開始吸收。

RCD,如去掉D將增加開關管導通期間電流應力

整流二極管并聯(lián)的RC主要對結(jié)電容與等效電感自激起阻尼作用

如果二極管結(jié)電容小，回復時間快也可以不加RC

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2010-12-18 14:40
@冰上鴨子
D拿掉問題就大了,R的損耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.加D是在MOSFE關段時吸收掉變壓器原邊每轉(zhuǎn)換的能量-漏感.

加D 是在MOSFE關段時吸收掉變壓器原邊每轉(zhuǎn)換的能量-漏感.

不太理解您的這句話，能給我詳細解釋下嗎？感謝您！

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2010-12-18 14:43
@engdong
RCD,如去掉D將增加開關管導通期間電流應力整流二極管并聯(lián)的RC主要對結(jié)電容與等效電感自激起阻尼作用如果二極管結(jié)電容小，回復時間快也可以不加RC

RCD,如去掉D將增加開關管導通期間電流應力

您指的是增加RC放點回路的阻抗？？可是放電的額時候D1（見上圖）應該不導通吧

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monikel
LV.5
8
2010-12-18 14:54
@qubiao19871012
[圖片]整流二極管的我不太清楚，就拿這個正激的開關管來說吧，這個D1在開關將要關斷的時候開始導通對C1進行充電，管子導通后，C1就通過R1放電。好像沒有D1什么事情啊，請指出我的錯誤之處，謝謝！
D是用來加快給C1充電以箝住Q1的Vds電壓，因為MoFet關斷時，Vds電壓的上長斜率是很快的，如果想簡單讓C1通過R1a來充電的（R1a*C1的時間常數(shù)很大）是很難箝住Vds的電壓.
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2010-12-18 15:00
@qubiao19871012
加D是在MOSFE關段時吸收掉變壓器原邊每轉(zhuǎn)換的能量-漏感.不太理解您的這句話，能給我詳細解釋下嗎？感謝您！

你講的RCD吸收我理解為反激模式.故有上面說法

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2010-12-18 15:04
@monikel
D是用來加快給C1充電以箝住Q1的Vds電壓，因為MoFet關斷時，Vds電壓的上長斜率是很快的，如果想簡單讓C1通過R1a來充電的（R1a*C1的時間常數(shù)很大）是很難箝住Vds的電壓.
非常感謝，時間常數(shù)越小，充電時間越大，所以加了D1,可以有效減緩Vds在關斷時候的電壓斜率。您說的鉗位Vds指的是讓讓Vds電壓緩慢上升嗎？那個應該不是鉗位吧，加不加RCD，Vds都是2Vdc啊
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2010-12-18 15:07
@冰上鴨子
你講的RCD吸收我理解為反激模式.故有上面說法
謝謝您，反激的緩沖期和正激的緩沖器有區(qū)別嗎？？我一直認為大部分含有變壓器拓撲的緩沖期都差不多的
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冰上鴨子
LV.10
12
2010-12-18 15:15
@qubiao19871012
謝謝您，反激的緩沖期和正激的緩沖器有區(qū)別嗎？？我一直認為大部分含有變壓器拓撲的緩沖期都差不多的
正激我就不太了解了,反激沒見有緩沖器,
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2010-12-18 15:17
@冰上鴨子
正激我就不太了解了,反激沒見有緩沖器,
我說的RCD和緩沖器一個意思的
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冰上鴨子
LV.10
14
2010-12-18 15:20
@qubiao19871012
我說的RCD和緩沖器一個意思的

同志你說的是 rCD吸收 呵呵, 我見過有地方加D有的地方?jīng)]有,具體那些作用我也沒了解過

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2010-12-18 17:32
RCD對電壓尖峰的吸收效果比RC效果好。損耗也是RCD的小，只在MOS開通過程中消耗電容中的儲能，RC則不僅在MOS開通而且在MOS關斷緩沖吸收的過程中R都有損耗。
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2010-12-19 09:20
@qubiao19871012
非常感謝，時間常數(shù)越小，充電時間越大，所以加了D1,可以有效減緩Vds在關斷時候的電壓斜率。您說的鉗位Vds指的是讓讓Vds電壓緩慢上升嗎？那個應該不是鉗位吧，加不加RCD，Vds都是2Vdc啊

你說的是理想情況，沒有考慮到漏感與電路分布參數(shù)的影響

你用示波器測試下MOSFET的波形就明白了

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2010-12-19 14:33
@心中有冰
你說的是理想情況，沒有考慮到漏感與電路分布參數(shù)的影響你用示波器測試下MOSFET的波形就明白了
我明白您的意思，可是要把Vds鉗位住，貌似這個RCD也不行啊，還是會受到漏感的影響，只有加一個變壓器的RCD結(jié)構(gòu)才可以。
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bode
LV.9
18
2010-12-19 18:05
@讓你記得我的好
RCD對電壓尖峰的吸收效果比RC效果好。損耗也是RCD的小，只在MOS開通過程中消耗電容中的儲能，RC則不僅在MOS開通而且在MOS關斷緩沖吸收的過程中R都有損耗。

好版主說得太好了~

D在這里，起到一個單向?qū)щ姷淖饔脋

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2010-12-19 18:48
@qubiao19871012
我明白您的意思，可是要把Vds鉗位住，貌似這個RCD也不行啊，還是會受到漏感的影響，只有加一個變壓器的RCD結(jié)構(gòu)才可以。
此種RCD吸收跟變壓器的初級繞組加的RCD吸收有異曲同工之妙
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GreenEnergy
LV.7
20
2010-12-19 21:19
@讓你記得我的好
RCD對電壓尖峰的吸收效果比RC效果好。損耗也是RCD的小，只在MOS開通過程中消耗電容中的儲能，RC則不僅在MOS開通而且在MOS關斷緩沖吸收的過程中R都有損耗。
在開關頻率不算太高時，的確如15樓所說。
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bode
LV.9
21
2010-12-19 21:32
@GreenEnergy
在開關頻率不算太高時，的確如15樓所說。
兄臺言下之意，開關頻率高的時候，15樓說法有局限嗎？
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whc_74
LV.3
22
2010-12-19 21:45
@讓你記得我的好
RCD對電壓尖峰的吸收效果比RC效果好。損耗也是RCD的小，只在MOS開通過程中消耗電容中的儲能，RC則不僅在MOS開通而且在MOS關斷緩沖吸收的過程中R都有損耗。

厲害厲害，佩服佩服。

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cheng111
LV.11
23
2010-12-20 11:29
@讓你記得我的好
RCD對電壓尖峰的吸收效果比RC效果好。損耗也是RCD的小，只在MOS開通過程中消耗電容中的儲能，RC則不僅在MOS開通而且在MOS關斷緩沖吸收的過程中R都有損耗。

 

總結(jié)：單向?qū)ê蛽p耗不同。

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rainever
LV.8
24
2010-12-20 12:05
@冰上鴨子
正激我就不太了解了,反激沒見有緩沖器,

fly-back with RCD snubber circuit, just have a look.

Design Guidelines for RCD Snubber 

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2010-12-20 13:33
@rainever
fly-backwithRCDsnubbercircuit,justhavealook.[圖片]DesignGuidelinesforRCDSnubber 
THX
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2010-12-20 13:39
@bode
兄臺言下之意，開關頻率高的時候，15樓說法有局限嗎？
加個這個D，這個D的反向恢復問題？
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立
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