請(qǐng)問(wèn)IGBT pdf文檔中Cies、Coes、Cres三個(gè)參數(shù)對(duì)IGBT工作的影響？
1、輸入電容Cies與管子開(kāi)通、關(guān)斷速度的關(guān)系？簡(jiǎn)單的正比關(guān)系嗎？IGBT驅(qū)動(dòng)電阻的大小選擇是否與Cies有關(guān)？
2、輸出電容Coes與開(kāi)通、關(guān)斷速度有關(guān)系嗎？
3、Cres電容，書(shū)上說(shuō)是影響開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓升降變化時(shí)間的主要因素，(這里邊的電壓時(shí)指的是Vg電壓?jiǎn)?)
Cres電容是否會(huì)間接影響開(kāi)關(guān)速度呢？這個(gè)電容是什么作用？對(duì)IGBT的工作狀態(tài)有什么影響？
還請(qǐng)哪位高手幫忙解惑！謝謝了！
回答你的問(wèn)題，MOS管或IGBT有三個(gè)電容，GS間，GD間，DS間
1、輸入電容是GS間電容并上GD串DS。開(kāi)啟時(shí)，要把輸入電容充滿。輸入電容越大，開(kāi)啟電流就要越大。還有一個(gè)指標(biāo)叫Qg，也就是要開(kāi)啟需要轉(zhuǎn)移的電荷數(shù)，這個(gè)更能直觀得表示。開(kāi)啟時(shí)先轉(zhuǎn)移Qgs，從波形上看會(huì)到miller時(shí)間，然后轉(zhuǎn)移Qgd，到達(dá)十伏，這時(shí)表示管子才真正開(kāi)啟了。
2、輸出電容是DS間并上GD與GS串。也就相當(dāng)于在DS兩端并聯(lián)一個(gè)電容。在管子開(kāi)啟時(shí)要先把這個(gè)電容上的電放掉，關(guān)斷時(shí)要先把這個(gè)電容上電放掉，所以有時(shí)候都不用在DS間關(guān)聯(lián)吸收電容，自身電容已經(jīng)夠用。在硬關(guān)斷時(shí)，電容越大，DS兩端電壓上升較慢，與電流交叉點(diǎn)會(huì)變低，可以減小關(guān)斷損耗。
3、Cres是反向電容，就是GD間的電容，在開(kāi)啟時(shí)必須把這個(gè)電容也充滿，也就是要把Qgd轉(zhuǎn)移掉，這樣才能完全開(kāi)啟，否則在DS間電流較大時(shí)會(huì)出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)能力不夠的情況，增加導(dǎo)通損耗。
反向電容會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度，因?yàn)橐噢D(zhuǎn)移掉上面的電量，而且必須轉(zhuǎn)移掉。Cies與Cres的大小會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度，越大在同等驅(qū)動(dòng)電流的情況下就越慢，會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗，但太快會(huì)產(chǎn)生振蕩，會(huì)造成DS間電壓峰值很高，反而增加損耗，得取個(gè)合適的值。一般來(lái)說(shuō)，管子的Id越大，三個(gè)電容都會(huì)越大，Qg也會(huì)越大，要提供的驅(qū)動(dòng)能力就越強(qiáng)。
