我來將進口3.0KWPFC原理圖畫出，送給大家
這幾天畫3.0KWPFC原理圖
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@zvszcs
MOS與IGBT互補做PFC，頭一回
ZCT或ZVT 方案（IGBT為主功率管。MOS為輔助開關(guān)，而且一般使用功率相對較小的管子）。
1 開通時MOS與IGBT一起導(dǎo)通，電流主要經(jīng)過IGBT，MOS只有很小的一部分電流。
2 關(guān)斷時 IGBT提前關(guān)斷，由于MOS管還是導(dǎo)通的，所以IGBT的關(guān)斷損耗非常低，IGBT完成關(guān)斷后MOS管緊跟著立刻關(guān)斷（由于實際的MOS管的開關(guān)速度要比IGBT快很多，并且不像IGBT那樣 關(guān)斷時還存在拖尾效應(yīng)，ＭOS管的開關(guān)損耗就相對而言會小很多）。
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@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案（IGBT為主功率管。MOS為輔助開關(guān)，而且一般使用功率相對較小的管子）。1開通時MOS與IGBT一起導(dǎo)通，電流主要經(jīng)過IGBT，MOS只有很小的一部分電流。2關(guān)斷時IGBT提前關(guān)斷，由于MOS管還是導(dǎo)通的，所以IGBT的關(guān)斷損耗非常低，IGBT完成關(guān)斷后MOS管緊跟著立刻關(guān)斷（由于實際的MOS管的開關(guān)速度要比IGBT快很多，并且不像IGBT那樣關(guān)斷時還存在拖尾效應(yīng)，ＭOS管的開關(guān)損耗就相對而言會小很多）。
分析很透徹??！
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@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案（IGBT為主功率管。MOS為輔助開關(guān)，而且一般使用功率相對較小的管子）。1開通時MOS與IGBT一起導(dǎo)通，電流主要經(jīng)過IGBT，MOS只有很小的一部分電流。2關(guān)斷時IGBT提前關(guān)斷，由于MOS管還是導(dǎo)通的，所以IGBT的關(guān)斷損耗非常低，IGBT完成關(guān)斷后MOS管緊跟著立刻關(guān)斷（由于實際的MOS管的開關(guān)速度要比IGBT快很多，并且不像IGBT那樣關(guān)斷時還存在拖尾效應(yīng)，ＭOS管的開關(guān)損耗就相對而言會小很多）。
分析很透徹啊！
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@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案（IGBT為主功率管。MOS為輔助開關(guān)，而且一般使用功率相對較小的管子）。1開通時MOS與IGBT一起導(dǎo)通，電流主要經(jīng)過IGBT，MOS只有很小的一部分電流。2關(guān)斷時IGBT提前關(guān)斷，由于MOS管還是導(dǎo)通的，所以IGBT的關(guān)斷損耗非常低，IGBT完成關(guān)斷后MOS管緊跟著立刻關(guān)斷（由于實際的MOS管的開關(guān)速度要比IGBT快很多，并且不像IGBT那樣關(guān)斷時還存在拖尾效應(yīng)，ＭOS管的開關(guān)損耗就相對而言會小很多）。
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@lf8754321lf
ZCT或ZVT 方案（IGBT為主功率管。MOS為輔助開關(guān)，而且一般使用功率相對較小的管子）。1開通時MOS與IGBT一起導(dǎo)通，電流主要經(jīng)過IGBT，MOS只有很小的一部分電流。2關(guān)斷時IGBT提前關(guān)斷，由于MOS管還是導(dǎo)通的，所以IGBT的關(guān)斷損耗非常低，IGBT完成關(guān)斷后MOS管緊跟著立刻關(guān)斷（由于實際的MOS管的開關(guān)速度要比IGBT快很多，并且不像IGBT那樣關(guān)斷時還存在拖尾效應(yīng)，ＭOS管的開關(guān)損耗就相對而言會小很多）。
你這個電源買成多少錢啊?
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