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如何提升逆變電源的可靠性

如題
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2011-01-04 18:33

首先說一下輸入回路的電解電容,我們知道,逆變器的DC輸入電流通常很大,

一個(gè)12V  1000W 的逆變器輸入電流最大可達(dá)120A以上,此時(shí)輸入端的電解電容

的選擇就非常關(guān)鍵了,選擇不當(dāng)時(shí),炸電解電容的故障就會(huì)變成‘家常便飯’了。

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2011-01-05 18:41

第二個(gè)要說的就是對(duì)不同負(fù)載特性適應(yīng)性問題。

這里又包含兩個(gè)問題,1. 是逆變器自身的功率余量、允許最大帶載啟動(dòng)輸出電

流與過流保護(hù)措施;2. 是對(duì)不同特性如感性、容性、負(fù)阻性等負(fù)載的適應(yīng)性。

一般如果在技術(shù)上沒處理好這些問題,產(chǎn)品在使用時(shí)就易出現(xiàn)各種問題。

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2011-01-06 18:25
再者就是散熱問題,除了主功率開關(guān)器件、高頻整流二極管、主功率變壓器等部件,電解電容的散熱也不能掉以輕心.....
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2011-01-13 21:48
@GreenEnergy
再者就是散熱問題,除了主功率開關(guān)器件、高頻整流二極管、主功率變壓器等部件,電解電容的散熱也不能掉以輕心.....
不錯(cuò)!請(qǐng)繼續(xù)!
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2011-01-13 23:11
@xzszrs
不錯(cuò)!請(qǐng)繼續(xù)!

我剛來論壇不久,多謝版主的關(guān)注!

沒記錯(cuò)的話版主就是眾人仰慕的鐘工吧?

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2011-01-14 09:26
說到逆變器的可靠性,有一個(gè)不得不說的重要問題,就是MOS管的并聯(lián)問題,當(dāng)然這里又包含了并聯(lián)驅(qū)動(dòng)問題與PCB的布線問題。
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tby2008
LV.9
8
2011-01-14 13:36
@GreenEnergy
說到逆變器的可靠性,有一個(gè)不得不說的重要問題,就是MOS管的并聯(lián)問題,當(dāng)然這里又包含了并聯(lián)驅(qū)動(dòng)問題與PCB的布線問題。

占位聽課!

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ccps
LV.7
9
2011-01-14 15:12
@GreenEnergy
說到逆變器的可靠性,有一個(gè)不得不說的重要問題,就是MOS管的并聯(lián)問題,當(dāng)然這里又包含了并聯(lián)驅(qū)動(dòng)問題與PCB的布線問題。
mos管或者IGBT并聯(lián)使用時(shí)除了均流均壓還需要注意哪些問題?
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GreenEnergy
LV.7
10
2011-01-14 17:52
撇開并網(wǎng),再一個(gè)對(duì)運(yùn)行可靠性有舉足輕重的影響的是逆變器的“自我”保護(hù)問題,包括限流保護(hù)模式(前面已提到過),熱關(guān)斷保護(hù),用戶操作異常保護(hù),負(fù)載異常保護(hù),啟動(dòng)保護(hù)等等。
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flyahead
LV.5
11
2011-01-14 20:14
@GreenEnergy
撇開并網(wǎng),再一個(gè)對(duì)運(yùn)行可靠性有舉足輕重的影響的是逆變器的“自我”保護(hù)問題,包括限流保護(hù)模式(前面已提到過),熱關(guān)斷保護(hù),用戶操作異常保護(hù),負(fù)載異常保護(hù),啟動(dòng)保護(hù)等等。

如果逆變器采用先升壓后逆變的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),那么怎么做過流保護(hù)才可靠?

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zhanghuawei
LV.9
12
2011-01-15 11:34
@flyahead
如果逆變器采用先升壓后逆變的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),那么怎么做過流保護(hù)才可靠?

自己觀點(diǎn)是過流后先關(guān)后級(jí)的逆變,再關(guān)前級(jí)。關(guān)掉前級(jí)晚點(diǎn)不會(huì)有問題!

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GreenEnergy
LV.7
13
2011-01-15 20:40

對(duì)于原器件的參數(shù)設(shè)定與選型一樣會(huì)影響到產(chǎn)品的可靠性,這個(gè)自不必多說。但對(duì)MOS管、超快整流二極管來說,不同的封裝形式對(duì)可靠性的影響有時(shí)差別十分明顯!不得不認(rèn)真重視之。

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ccps
LV.7
14
2011-01-15 22:12
@GreenEnergy
對(duì)于原器件的參數(shù)設(shè)定與選型一樣會(huì)影響到產(chǎn)品的可靠性,這個(gè)自不必多說。但對(duì)MOS管、超快整流二極管來說,不同的封裝形式對(duì)可靠性的影響有時(shí)差別十分明顯!不得不認(rèn)真重視之。

不同的封裝形式對(duì)可靠性的影響有時(shí)差別十分明顯

能講解上面那句話嗎?

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GreenEnergy
LV.7
15
2011-01-17 09:59
@ccps
不同的封裝形式對(duì)可靠性的影響有時(shí)差別十分明顯能講解上面那句話嗎?
ccps 朋友莫急,所有提到的問題后面都會(huì)一一講到的。
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ccps
LV.7
16
2011-01-17 10:31
@GreenEnergy
ccps朋友莫急,所有提到的問題后面都會(huì)一一講到的。
期待講解~~
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2011-01-18 10:43
@ccps
期待講解~~
期待
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GreenEnergy
LV.7
18
2011-01-19 18:15
@ccps
mos管或者IGBT并聯(lián)使用時(shí)除了均流均壓還需要注意哪些問題?

ccps朋友你所說到的“均流均壓” 這簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單四個(gè)字里不但包含平衡驅(qū)動(dòng)、PCB布

線均衡(布線的DC、AC電阻相等)、還包含了管體散熱均溫、MOS管的Ron動(dòng)

靜態(tài)匹配(選管)等問題。

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GreenEnergy
LV.7
19
2011-01-19 22:45
@zhanghuawei
自己觀點(diǎn)是過流后先關(guān)后級(jí)的逆變,再關(guān)前級(jí)。關(guān)掉前級(jí)晚點(diǎn)不會(huì)有問題!

這個(gè)說法不能說不對(duì),其實(shí)如已及時(shí)關(guān)掉了后級(jí),一般前級(jí)的過流也就能自行解除了。

當(dāng)然實(shí)用時(shí)前級(jí)高頻大功率DC/DC與后級(jí)50Hz/60Hz逆變部分都應(yīng)具有性能良好的限流控制環(huán)路。

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GreenEnergy
LV.7
20
2011-02-04 22:54

 

在談驅(qū)動(dòng)問題前,先上一幅實(shí)測(cè)的推挽逆變電路的其中一邊MOS管的G極波形(1:1 藍(lán))

與升壓變壓器的副邊電壓波(15:1 黃),這是電路處在滿載1000W  DC+24V輸入時(shí)的

實(shí)測(cè)波形,可以看到另一路MOS管導(dǎo)通時(shí)串入到截止MOS管的G極的干擾尖刺波形。

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阿法ch
LV.7
21
2011-02-04 23:11
謝謝??!占位聽課。
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GreenEnergy
LV.7
22
2011-02-05 19:38

由于大部分逆變器的MOS管驅(qū)動(dòng)部分的供電與主振蕩IC一樣,都為單電源供電(用SG3525

輸出直驅(qū)管MOS的也不少見),因此驅(qū)動(dòng)波形以0V~+15V方波為多見,此時(shí)驅(qū)動(dòng)波形如受

到干擾(見上圖尖刺部分),如接近達(dá)到MOS管的Vth值,則對(duì)系統(tǒng)的不良影響自不用多說,

起碼也會(huì)影響效率與溫升。如采取一般的手段無法有效減低或避免這種干擾時(shí),采用負(fù)壓

關(guān)斷也就很有必要了。這個(gè)問題在專業(yè)的量產(chǎn)方案中,應(yīng)引起足夠的重視。

 

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ccps
LV.7
23
2011-02-05 22:37
@GreenEnergy
由于大部分逆變器的MOS管驅(qū)動(dòng)部分的供電與主振蕩IC一樣,都為單電源供電(用SG3525輸出直驅(qū)管MOS的也不少見),因此驅(qū)動(dòng)波形以0V~+15V方波為多見,此時(shí)驅(qū)動(dòng)波形如受到干擾(見上圖尖刺部分),如接近達(dá)到MOS管的Vth值,則對(duì)系統(tǒng)的不良影響自不用多說,起碼也會(huì)影響效率與溫升。如采取一般的手段無法有效減低或避免這種干擾時(shí),采用負(fù)壓關(guān)斷也就很有必要了。這個(gè)問題在專業(yè)的量產(chǎn)方案中,應(yīng)引起足夠的重視。 
怎樣減弱或者消除這種影響呢?有沒有什么好方法
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wyjwyj08
LV.5
24
2011-02-06 00:03
不錯(cuò)--靜坐聽講----------請(qǐng)繼續(xù)-----
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1239912
LV.6
25
2011-02-06 20:38
@wyjwyj08
不錯(cuò)--靜坐聽講----------請(qǐng)繼續(xù)-----
我也來占位,聽課。 ------請(qǐng)繼續(xù)
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GreenEnergy
LV.7
26
2011-02-06 21:37

 

此圖為實(shí)測(cè)逆變器滿載時(shí)的推挽A相與B相MOS管的G極波形(1:10),由于采用了+15V開通、-5V關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)方式,

同時(shí)精選低Qgs的功率MOS管,驅(qū)動(dòng)波形的“尖峰”干擾大為減少,也可看到由于采用了負(fù)壓關(guān)斷,滿載時(shí)從對(duì)方相位

串?dāng)_過來的“毛刺”被有效控制在0V線以內(nèi)(紅圈),確保截止時(shí)期的MOS管能絕對(duì)可靠地截止關(guān)斷。

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ccps
LV.7
27
2011-02-06 23:04
@GreenEnergy
[圖片] 此圖為實(shí)測(cè)逆變器滿載時(shí)的推挽A相與B相MOS管的G極波形(1:10),由于采用了+15V開通、-5V關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)方式,同時(shí)精選低Qgs的功率MOS管,驅(qū)動(dòng)波形的“尖峰”干擾大為減少,也可看到由于采用了負(fù)壓關(guān)斷,滿載時(shí)從對(duì)方相位串?dāng)_過來的“毛刺”被有效控制在0V線以內(nèi)(紅圈),確保截止時(shí)期的MOS管能絕對(duì)可靠地截止關(guān)斷。
您的意思是負(fù)壓會(huì)可靠關(guān)斷
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GreenEnergy
LV.7
28
2011-02-06 23:37
@ccps
您的意思是負(fù)壓會(huì)可靠關(guān)斷

負(fù)壓關(guān)斷方式可有效地把MOS管G極的“尖峰毛刺”壓制在0V以下的水平。

如采用0V關(guān)斷,任憑(如20樓的藍(lán)色波形)“干擾尖刺”的存在,則A相與B相存在著“瞬間共態(tài)導(dǎo)通”的危險(xiǎn)與可能性。

不知CCPS朋友是否已理解?

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ccps
LV.7
29
2011-02-06 23:41
@GreenEnergy
負(fù)壓關(guān)斷方式可有效地把MOS管G極的“尖峰毛刺”壓制在0V以下的水平。如采用0V關(guān)斷,任憑(如20樓的藍(lán)色波形)“干擾尖刺”的存在,則A相與B相存在著“瞬間共態(tài)導(dǎo)通”的危險(xiǎn)與可能性。不知CCPS朋友是否已理解?
是為了防止AB相發(fā)生直通
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LV.1
30
2011-02-08 19:09
@ccps
是為了防止AB相發(fā)生直通
應(yīng)該頂一下
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GreenEnergy
LV.7
31
2011-02-08 22:21

在說環(huán)路反饋與過流保護(hù)前,接續(xù)4樓散熱話題,先來說說結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與主功率管的散熱問題。

舉一個(gè)實(shí)例:某山寨小企業(yè)抄板了某個(gè)已成熟的逆變電路,此電路在別人那里反映不錯(cuò),而在自己這里的產(chǎn)品卻炸主功率MOS管的比例較高.....

 

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