自己先頂一下!!!RCD吸收的電阻和電容的參數(shù)不對.呵呵!!!

那不是RCD吸收,是鉗位,把R和D并聯(lián)就對了

原理分析是RCD更好,在不發(fā)生諧振的情況下MOS關閉后C會儲存電荷,電位等于VCC.
MOS再次開通時C儲存電荷對其放電,會有一尖峰電流,MOS會增加功耗,EMC也差.如果有D就可以避免此現(xiàn)象.

你說的是G和S端的那個DIODE是嗎?

R3和D1

我仿真了,上面的RCD的電阻電容參數(shù)不對.昨天做了一下試驗,感覺還行.比用RC的會好.RC的吸收在電路工作的時候會有很大的功耗.而RCD就好多了.如果說工作在D=0.5的情況下,那么電阻的損耗也就只有D=0時的一半了.
不知道我這樣說對嗎?

那樣的話不還是RC吸收了嗎?C上面的能量不是還要加一部分到MOS管上了???

你說的這么并法,我也見過.不過這樣子R3又要取很小了.

請問各位,上圖中的RCD電路放在橋式電路中,要在變壓器上串一個隔直電容嗎?

我覺的D1調(diào)一下MOS關斷時才起到吸收的作用!!!
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你覺得是把RD并聯(lián)是嗎?

no!是把D1正負調(diào)一下!
不過要看什么電路了.如反激式!
以上是我個人發(fā)表意見!!!

MOS管內(nèi)有一個二極管
做為變壓器續(xù)流用的.這個RCD它是用來做關斷吸收的.

RCD不可以在橋式電路里做吸收的.那樣要炸管子的

你的2圖里的D1和R3應該并聯(lián)才是RCD吸收電路.當Q1關斷時,通過D1對C1充電,從而減小Q1的DS兩端的電壓上升率,當Q1開通時,C1通過R3和Q1放電.而RC吸收電路的話在開關開通和關斷時都需要在電阻上消耗能量,效率低.

按我的圖,開關關斷時也是通過D1對C充電,而開關關斷時,則是通過R3放電呀!

這樣C上面的能量就不要通過開關來釋放了.
若把R3和D1并的話,C放電時還是會給開關帶來功耗的.

你這種RCD形式,在開關關斷一瞬間的時候,是通過D來對C充電的,但稍后就會有電流流過R,所以開關關斷過程中電阻會消耗能量,而開通時,C通過R放電,也消耗能量.
這只是我的看法,不一定正確.

樓主這種接法不同之外就是:在MOSFET開通時:C所存儲的能量是直接通過電阻R放電,沒有經(jīng)過MOSFET,不過這種方法是否比常規(guī)的通過MOSFET加上R放電效果要好:需要做一下測試作對比就知道哪種效果最佳．原理都是一樣!!

請指點!!

我在調(diào)節(jié)開關頻率時如果用RC吸收的話,可以很明顯的看到頻率高時功耗就大了.而用RCD時就不會有這樣子的問題.

你后面是什么電路?要看你什么是路了!
如果是開關電源你的D  R  一定很燙!

是一個全橋的開關電源.R是很燙.不過D不怎么燙.

我想, C上的電壓可大於Ecc, 若有D, 則除了C不經(jīng)開關放電外, 還減少在「死區(qū)」丞受過壓的時間.

為什么說這樣的RCD不可以在橋式電路中做吸收呢?

在書上看到一些正激的電路圖,用我上面那樣的RCD,都直接構成直流通路了.那些作者應該不會看不懂吧!真奇怪!

XUE007說的會炸管是為什么呀?你說的應該是電路上沒有串隔直電容對嗎?
如果串了應該不會吧!還請說一下理由.讓我這樣的電源新手學學.謝謝!

空載功耗大,是否選用要看情況

可是在大功率的電源中這種損耗還是算小的呀.畢竟在開啟的時候瞬間沖擊小了不少.

請問樓主,你用的RCD中R、C的計算方式是怎么計算的啊!
望教教我這個開關電源新手了

D1 D3用的是什么管子呢

D3是MOS內(nèi)部的,我外面是用HER505,因為頻率比較高.RC要看充放電常數(shù).要看你電路的時間常數(shù).

你說的充放電時間常數(shù)就是脈沖信號的占空比嗎?