最近在做buck電路和一個開關控制電路，用到mos管，搭建電路測試時，柵極懸空，結果mos管處于開通狀態(tài)（接上led指示燈，亮），請問各位大俠，這是為什么呢？
先謝謝了
關鍵詞：mos管
這個是彌勒效應導致的。
D的電壓，通過Cgd耦合到了G端。
如果D端是高壓的話，MOSFET豈不是被直接擊穿了
關鍵詞：MOSFET
MOS的柵極可以認為是一個電容，很容易被外界電荷所充電。
GS之間接個電阻，看它還能導通
MOS是電壓驅動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導通，外部干擾信號對G-S結電容充電，這個微小的 電荷可以儲存很長時間。在試驗中G懸空很危險，很多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路干擾信號就不會直通了，一般可以10--20K。
關鍵詞：MOS
這個電阻阻值如果是1K或者5K以下有什么不妥嗎？？
也可以的，但是不宜過小
MOS管GS之間有電壓極限的，一般是小于30V....高于30V俺忽然電壓會不會壞？
關鍵詞：MOS管
會，現在好多都是20V的哦
一般都是在正負20吧，沒有超過正負30V的。
柵極電壓超過這個范圍，肯定會擊穿的。
剛看了一下，東芝的規(guī)格書上是+/-30V的。有些加20V穩(wěn)壓管，應該是為了安全裕量吧
Vth一般都是在2V左右，一些TTL MOS更低。米勒平臺在4V左右，過了8V，MOS一般都會飽和導通了。
那是因為存在寄生 參數，G極開路，只要VDS存在一定電壓，G極與S極之間也會存在壓差，所以會導通，如果VDS電壓過高，MOS會SHORT
小到一定的程度，驅受收到影響，芯片驅動不了MOS
23樓說的應該是GS間的電阻太小，驅動不了MOS。
米勒效應？暈暈的
什么是彌勒效應呢？從網上查了查，還不是很明白，有沒有人解釋一下？
謝謝了
可以自己測試一下，MOSFET的驅動的波形，看看有什么奇怪的地方，你就明白了
我也覺得是 這個 原因! 彌勒效應 有點牽強!
