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反激電源問題請(qǐng)教

本人接觸電源不長時(shí)間,有個(gè)問題想請(qǐng)教大家,在設(shè)計(jì)反激電源的時(shí)候,我們可以推出Vo=D*n2*Vin/(n1*(1-D)),這就是說在我們?cè)O(shè)計(jì)之初要確定一個(gè)占空比,然后根據(jù)管子的耐壓確定反激電壓Vf的大小,在設(shè)計(jì)匝數(shù)。我的問題是,當(dāng)控制芯片剛開始工作時(shí) 輸出的占空比是不是固定的?(這時(shí)反饋還沒有對(duì)占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)),如果這時(shí)輸出的占空比比設(shè)計(jì)的D大的多,這樣第一次輸出的電壓Vo是不是就要比設(shè)計(jì)的輸出大的多,從而反激電壓也大的多,這樣是不是就會(huì)損壞MOS管?在設(shè)計(jì)時(shí)這點(diǎn)要怎么考慮呢?
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hskfly
LV.2
2
2011-02-23 11:34

請(qǐng)參考:

【原創(chuàng)】跟我學(xué)系列之四,反激電源及變壓器的設(shè)計(jì)

http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

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2011-02-23 11:50
@hskfly
請(qǐng)參考:【原創(chuàng)】跟我學(xué)系列之四,反激電源及變壓器的設(shè)計(jì)http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

這個(gè)帖子我一直在看!

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2011-02-23 12:47

你的考慮的對(duì)的

這就是開機(jī)過程中的輸出電壓過沖。一般的MOSFET都有單個(gè)與重復(fù)雪崩能量這兩個(gè)指標(biāo)的,只要不超過指標(biāo),MOSFET還是安全的

措施一般通過增加軟啟動(dòng),大功率電源可以通過增加啟動(dòng)時(shí)序控制,也可以通過加快環(huán)路的響應(yīng)時(shí)間來解決

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2011-02-23 13:05
@心中有冰
你的考慮的對(duì)的這就是開機(jī)過程中的輸出電壓過沖。一般的MOSFET都有單個(gè)與重復(fù)雪崩能量這兩個(gè)指標(biāo)的,只要不超過指標(biāo),MOSFET還是安全的措施一般通過增加軟啟動(dòng),大功率電源可以通過增加啟動(dòng)時(shí)序控制,也可以通過加快環(huán)路的響應(yīng)時(shí)間來解決
哦,您說的意思我大概理解!就是說最初上電的時(shí)候 電壓峰值可能超過MOS管的耐壓,但不至于使管子損壞,當(dāng)然是在短時(shí)間內(nèi)的!隨著占空比的調(diào)節(jié)電壓降低!
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