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反激電源問題請教

本人接觸電源不長時間,有個問題想請教大家,在設計反激電源的時候,我們可以推出Vo=D*n2*Vin/(n1*(1-D)),這就是說在我們設計之初要確定一個占空比,然后根據(jù)管子的耐壓確定反激電壓Vf的大小,在設計匝數(shù)。我的問題是,當控制芯片剛開始工作時 輸出的占空比是不是固定的?(這時反饋還沒有對占空比進行調(diào)節(jié)),如果這時輸出的占空比比設計的D大的多,這樣第一次輸出的電壓Vo是不是就要比設計的輸出大的多,從而反激電壓也大的多,這樣是不是就會損壞MOS管?在設計時這點要怎么考慮呢?
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hskfly
LV.2
2
2011-02-23 11:34

請參考:

【原創(chuàng)】跟我學系列之四,反激電源及變壓器的設計

http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

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2011-02-23 11:50
@hskfly
請參考:【原創(chuàng)】跟我學系列之四,反激電源及變壓器的設計http://bbs.dianyuan.com/topic/592535

這個帖子我一直在看!

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2011-02-23 12:47

你的考慮的對的

這就是開機過程中的輸出電壓過沖。一般的MOSFET都有單個與重復雪崩能量這兩個指標的,只要不超過指標,MOSFET還是安全的

措施一般通過增加軟啟動,大功率電源可以通過增加啟動時序控制,也可以通過加快環(huán)路的響應時間來解決

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2011-02-23 13:05
@心中有冰
你的考慮的對的這就是開機過程中的輸出電壓過沖。一般的MOSFET都有單個與重復雪崩能量這兩個指標的,只要不超過指標,MOSFET還是安全的措施一般通過增加軟啟動,大功率電源可以通過增加啟動時序控制,也可以通過加快環(huán)路的響應時間來解決
哦,您說的意思我大概理解!就是說最初上電的時候 電壓峰值可能超過MOS管的耐壓,但不至于使管子損壞,當然是在短時間內(nèi)的!隨著占空比的調(diào)節(jié)電壓降低!
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