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抗浪涌

 
  
新手請教各位上面是如何抗浪涌的？具體是如何工作哈
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cheng111
LV.11
2
2011-02-24 22:36

上面的圖看不了？

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2011-02-25 08:46

圖！

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陳玉鳴
LV.2
4
2011-02-25 08:53
@cheng111
上面的圖看不了？
現(xiàn)在看得了了吧
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2011-02-25 10:31

我來分析下：

一上電時，C6充電，但電壓較低，MOSFET不工作，大電流通過RT1流過，在電流較大時，產(chǎn)生的壓降在R4上，使得Q1導通，這樣MOSFET更不能導通了。只有在RT1上電流小到一定程度后，Q1關閉，C6充電，Q2才能導通，啟動完成。

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2011-02-25 16:49
@on_the_way_li
我來分析下：一上電時，C6充電，但電壓較低，MOSFET不工作，大電流通過RT1流過，在電流較大時，產(chǎn)生的壓降在R4上，使得Q1導通，這樣MOSFET更不能導通了。只有在RT1上電流小到一定程度后，Q1關閉，C6充電，Q2才能導通，啟動完成。

新人迷惑中。。。。求正解~！

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陳玉鳴
LV.2
7
2011-02-25 19:06
@on_the_way_li
我來分析下：一上電時，C6充電，但電壓較低，MOSFET不工作，大電流通過RT1流過，在電流較大時，產(chǎn)生的壓降在R4上，使得Q1導通，這樣MOSFET更不能導通了。只有在RT1上電流小到一定程度后，Q1關閉，C6充電，Q2才能導通，啟動完成。
有道理！
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cheng111
LV.11
8
2011-02-25 23:52
@on_the_way_li
我來分析下：一上電時，C6充電，但電壓較低，MOSFET不工作，大電流通過RT1流過，在電流較大時，產(chǎn)生的壓降在R4上，使得Q1導通，這樣MOSFET更不能導通了。只有在RT1上電流小到一定程度后，Q1關閉，C6充電，Q2才能導通，啟動完成。
附議。
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ta7698
LV.9
9
2011-02-26 07:39
@on_the_way_li
我來分析下：一上電時，C6充電，但電壓較低，MOSFET不工作，大電流通過RT1流過，在電流較大時，產(chǎn)生的壓降在R4上，使得Q1導通，這樣MOSFET更不能導通了。只有在RT1上電流小到一定程度后，Q1關閉，C6充電，Q2才能導通，啟動完成。
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黑色
LV.4
10
2011-03-09 09:59
@ta7698
[圖片]

學習，

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wwy_0168
LV.2
11
2011-03-10 21:34

這是抗上電沖擊吧！

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川野
LV.7
12
2011-03-22 13:02

這個電路要是能再精減一下就好了。

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grtang
LV.7
13
2011-03-22 13:51
@川野
這個電路要是能再精減一下就好了。
MOSFET的GS直接并一個電容，也是可以起到這個作用。一個電阻一個電容一個MSOFET組成。要效果好，還是用專門的IC，就是價格貴。
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vickersguo
LV.1
14
2011-12-13 11:28
@on_the_way_li
我來分析下：一上電時，C6充電，但電壓較低，MOSFET不工作，大電流通過RT1流過，在電流較大時，產(chǎn)生的壓降在R4上，使得Q1導通，這樣MOSFET更不能導通了。只有在RT1上電流小到一定程度后，Q1關閉，C6充電，Q2才能導通，啟動完成。

學習了，能否將此電路參數(shù)貼出來，參考一下。

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