麻煩各位不吝賜教哈，在這先謝過了

讓你記得我的好兄，這是我的驅動輸出波形，卻是上升過程中共有個下跌的現(xiàn)象，這是不是就是你說的米勒效應？該如何解決呢？是因為驅動能力不夠還是驅動電阻的問題呢？ 另外，我用的mos管（ixfx26N120P）Ciss的值有點大，為14nF.

驅動的確有點問題。

但是，是否這個驅動問題就是造成輸出的問題，二者之間是否有聯(lián)系。你最好能把兩個波形同時觀察。這樣可以幫助判斷。

因為不清楚你的實際電路。所以無法判斷你的問題究竟是驅動能力不夠，還是驅動電阻的問題。

  照理說接的應該與驅動波形前沿這個凹陷沒有關系，因為驅動信號時前沿有凹陷，對應的mos開通，負載輸出前沿沒問題，而其出問題的是后沿，即mos關斷后出現(xiàn)的不穩(wěn)定現(xiàn)象。我嘗試過把驅動電阻調(diào)大，則輸出脈沖前沿便緩，但是出現(xiàn)不穩(wěn)定的起始電壓提高了，約為2.7kV（原來是1.5kV左右）。如下圖所示:

mos管GS兩端的電壓波形：

最下面的這張圖，里面兩個信號分別是什么？

另外，請貼出你的實際電路圖。

用MOS管來做，和你仿真的那個圖，實際上是有些區(qū)別的。主要是驅動部分的共地，可能存在問題。

 上圖中藍色是Ciss=14nF時候在mos管GS兩端的波形，綠色是Ciss=6600pF時候的mos管GS兩端的波形。而我現(xiàn)在認為即使下降沿的那個尖造成了MOS管的二次導通造成工作不穩(wěn)定。

這是一節(jié)MOS管的驅動電路。

能幫我分析下原因嗎？

我仔細看了你的測試結果。從結果來看，應該是miller效應造成的。

IXFK26N120的管子，Ciss=14nF，Crss=50pF

IXFX24N100的管子，Ciss=8.7nF，Crss=315pF

從管子的參數(shù)可以看出來，同樣的驅動電阻下，IXFK26N120的柵極電壓上升速度要慢一些，會使輸出脈沖的上升沿不夠陡。但是，IXFK26N120的miller電容小很多，同樣的驅動條件下，他的輸出脈沖由于miller效應造成的MOS二次導通要出現(xiàn)在更高的工作電壓下。

建議你從幾個方面去改進你的電路。

一是換用更大驅動能力的IC，IXYS應該有的。

另一方面，不要使用IXFX24N100這種MOS了，因為其miller電容比例偏大。而且，IXYS也不在新設計產(chǎn)品中推薦使用了。

還有，你可能需要檢查一下你的驅動線路的走線，從你的驅動波形上看，感覺驅動部分的走線可能不是很好。如果效果還是不佳，可以考慮把驅動部分裝一個PNP的三極管，就近接在MOS的GS，在關斷MOS的時候，能提供盡量短的GS放電途徑。

最后，希望能及時更新你的實驗結果。

多謝，讓你記得我的好兄指導，我會及時更新實驗測試結果的。順便更正一下哈，

我目前用的是IXFK26N120這種管子，考慮到走線的問題，正在重新布線制版，計劃用IXFX24N100F再嘗試。

IXFX24N100F的mos管子參數(shù)：Ciss=6600pF,Crss=230pF.

另外，miller電容是指的Crss嗎？Ciss參數(shù)的話，IXFX24N100F要小很多.

以下是目前的PCB圖：

以下是計劃重新制版的PCB(增大了驅動)：

嗯，miller電容指的是Crss。

從IXFX24N100F的參數(shù)上看，它的miller效應會非常明顯。如果驅動部分設計的不好或者引線太長，那么你所看到的二次開通的問題還會依然存在而且會比較嚴重。

我把驅動的環(huán)路用兩種顏色的線標了一下，你看看。綠色的是高電平的時候驅動電流環(huán)路。白色是低電平的時候，柵極電容放電的環(huán)路。

這么大的環(huán)路，結果肯定不會好的。

讓你記得我的好兄，你的意思是驅動電流回路和柵極電容放電回路應盡量短？像制作這種板子，一般都有什么原則呢？

因為我是初次走線，主要考慮的是為避免相互干擾，器件盡量分開些，沒考慮到回路長了對驅動電路有這么大影響。

感謝讓你記得我的好大哥，按照您給的提示，我重新做了板子，輸出效果好很多了。現(xiàn)在還有一個問題就是，當電壓加的比較高的時候，輸出 波形會有一個凹陷，在電壓比較低(5kV以下)的時候則是正常。請問這事什么原因呢？如圖所示：
  

不好說。要看整個系統(tǒng)的電路來分析。另外，和系統(tǒng)中的MOS和二極管的特性有關系。另外，要注意選擇miller電容小的MOS，因為miller電容在電壓高的情況下，影響尤其明顯。