【討論】電流型控制反激電路的全電壓下的過流點(diǎn)
這個(gè)確實(shí)不是想當(dāng)然的,我也沒考慮好,不過我按下面的公式做了推算.設(shè)CCM模式,初級(jí)電流梯形為Ip2和Ip1,則有以下三個(gè)公式:(Ip2-Ip1)=(Vin*Ton)/L.(Ip2+Ip1)=(2*Po*T)/(Vin*Ton).
Vin*Ton=Vo*n*(1-Ton).前面兩個(gè)式子相加可得到Ip2(初級(jí)峰值電流)與Vin和Ton的關(guān)系,把第三個(gè)式子結(jié)合,可得到Ip2與Vin的關(guān)系.代入實(shí)際值驗(yàn)證倒是方便,但是普遍關(guān)系不好算.希望有弄明白的把最終關(guān)系貼在這里.反激就是從BUCK-BOOST演變過來的,只是電感換成了變壓器而已.IL=IO/(1-D),IO就是輸出電流,負(fù)載不變IO不變,占空比變化會(huì)導(dǎo)致電感的平均電流IL變化,而峰值電流IPK=IL*(1+r/2),r為電流紋波.
再補(bǔ)充一點(diǎn)IO就是續(xù)流二極管的電流,不知道以上能不能解釋高低壓下OCP差別大的問題
嘗試推導(dǎo)CCM模式下輸入電壓與峰值電流的關(guān)系.
根據(jù)伏秒數(shù)守恒:
(為了讓公式簡(jiǎn)練,假設(shè)二極管和MOS開關(guān)都是理想狀態(tài),導(dǎo)通電阻為0)
Vdc*Ton=(Ns/Np)*Vo*Toff → Vdc*D=(Ns/Np)*Vo*(1-D)……..(1)
根據(jù)上圖得到如下: L*(Ip2-Ip1)=Vdc*Ton=Vdc*D*T………..(2)
再根據(jù)輸入輸出的能量關(guān)系:{(Ip2+Ip1)/2}*Vdc*D=P0/η…….(3)
現(xiàn)在只能列出三個(gè)式子,但含有四個(gè)未知數(shù):Vdc,D,Ip2,Ip1.
根據(jù)(1),(2),(3)消去Vdc
得到:Ip2-Ip1= (Ns/Np)*Vo*(1-D)*T………..(4)
Ip1+Ip2=2 P0/η*(Np/Ns)*(1/Vo)/(1-D)……..(5)
根據(jù)公式1,隨著Vdc↑,D↓,(1-D) ↑
由(4)得,Ip2-Ip1↑ 由(5)得Ip1+Ip2 ↓
由這兩個(gè)變化方向只能推測(cè)出Ip1隨著Vdc減小,但Ip2還是無從判斷??
悲劇,現(xiàn)在公司圖片傳不上去,晚上回家在上傳.